MOS管 KNX6650A 15A/500V中文资料-MOS管专业制(zhi)造(zao)商-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期(qi)：2019-03-25
KIA品牌(pai)MOS管KNX6650A增(zeng)强型硅栅功(gong)率(lv)(lv)MOSFET是(shi)为高(gao)压设计的。高(gao)速功(gong)率(lv)(lv)开关(guan)应用，如高(gao)效率(lv)(lv)开关(guan)电源(yuan)，有源(yuan)，开关(guan)电源(yuan)等(deng)。基于半(ban)桥拓扑的功(gong)率(lv)(lv)因数校正电子(zi)灯镇流器。
RDS(ON),typ=0.33Ω@VGS=10V
专有平面新技术
低栅电荷最小开关损耗
快速恢(hui)复(fu)体二极管
型号：KNX6650A
主要参数：15A/500V
漏源(yuan)极电压：500V
栅极到源(yuan)极电压(ya)：±30V
连续漏电(dian)电(dian)流：15A
单脉冲雪崩能量：1000MJ
二极管峰值恢(hui)复(fu)：5.0V/ns
漏源击穿电压：500V
漏源漏电流：100μA
输入电容：2148pF
反(fan)向恢复时间：520ns
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