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KIA半(ban)导体MOS管 KNX4760A 8A/600V原厂(chang)价格采购 免费送样-KIA MOS管

信息来源(yuan):本(ben)站 日(ri)期:2019-04-17 

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MOS管,KNX4760A,8A/600V

MOS管 KNX4760A产品特征

专(zhuan)业平面新(xin)技术

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低栅(zha)极电荷使开(kai)关损耗最小化

快恢复体(ti)二(er)极管


MOS管 KNX4760A产品应用领域

适配器充电器

SMPS电源(yuan)

液(ye)晶(jing)面板电源


MOS管 KNX4760A封装


MOS管,KNX4760A,8A/600V


MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数

漏源(yuan)电压:600V

栅源电压(ya):±30V

连续(xu)漏电流:8.0A

单脉冲(chong)雪(xue)崩能量:580MJ

峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns

漏(lou)源(yuan)击穿电压:600V

输入电容:1250pF

输出电容:110pF

反向(xiang)转移(yi)电容:16pF

漏源二极(ji)管正向电压:1.5V

连续漏源电流:8A


MOS管 KNX4760A 8A/600V规格书

查看及下(xia)载规格书(shu),请点击(ji)下(xia)图。


MOS管,KNX4760A,8A/600V



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