KIA35P10A替(ti)代CMD5950 PDF资料参数-KIA35P10A大批量(liang)供货-KIA MOS管
信息(xi)来源：本站 日期：2019-05-13
CMD5950采用(yong)先进(jin)的沟(gou)槽(cao)技术和设计(ji)，提供优良(liang)的低(di)门(men)电荷(he)RDS（on），它可用(yong)于多种用(yong)途。
P沟(gou)道
低电阻(zu)
快速(su)切换100%
雪崩(beng)测(ce)试(shi)
漏(lou)源电压：-100V
栅源电压：20V
连(lian)续漏电流：-35a
脉冲漏极(ji)电流：-105a
雪(xue)崩电流：- 35 A
总功耗：50w
储存温度范围(wei)：- 55至150
工作结温(wen)度范围：150℃
1、RDS(on)=42mΩ（typ)@VGS=10V
2、100%EAS保证
3、绿(lv)色(se)设备可用(yong)
4、超低门电(dian)荷
5、Cdv/dt效应低
6、先(xian)进的高密(mi)度槽道技术
7、KIA35P10A采用先进的(de)沟槽MOSFET技(ji)术，以提(ti)供优良的(de)RS（ON）和门KIA35P10A符合RoHS和Green的(de)要求，适用于多种用途。KIA35P10A产品要求：100%EAS保证(zheng)，功能可靠。
产品型号：KIA35P10A
工(gong)作方式：-35A/-100V
漏源极(ji)电(dian)压(ya)：-100V
栅源电压(ya)：±20V
单脉冲雪崩能：345MJ
雪崩电流:28A
总功耗(hao):104W
操作和储存(cun)温(wen)度范围(wei)：-55℃至+150℃
1、电动车防盗器
2、农机
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