KIA6N70H 5.8A/700V规格书下载-MOS管原厂(chang)供(gong)货(huo) KIA原厂(chang)现货(huo)-KIA MOS管
信(xin)息来源：本(ben)站 日期：2019-05-28
这(zhei)款(kuan)功(gong)率(lv)MOSFET是使(shi)用KIA半(ban)(ban)导(dao)体先(xian)进(jin)的(de)平面条纹(wen)DMOS技(ji)术生产(chan)的(de)。这(zhei)个先(xian)进(jin)的(de)技(ji)术是KIA半(ban)(ban)导(dao)体专门定制(zhi)的(de)。可(ke)以减少(shao)冲(chong)击，提供(gong)优越的(de)开(kai)关性能(neng)，能(neng)承受雪崩和(he)换向模式下的(de)高(gao)能(neng)量脉冲(chong)，这(zhei)款(kuan)产(chan)品非常(chang)适合于高(gao)效率(lv)开(kai)关电(dian)源(yuan)、有源(yuan)功(gong)率(lv)因数校正，基于半(ban)(ban)桥拓扑。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷（典型(xing)16NC）
高耐(nai)用性
快(kuai)速(su)切换
雪崩测(ce)试100%
提高dv/dt能力
型号：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
脉冲漏电流:20* A
栅(zha)源电压:±30V
单(dan)脉(mai)冲雪崩能(neng)量:150MJ
雪崩电流:4.8A
重复雪崩(beng)能(neng)量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns
漏源击穿电(dian)压:700V
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