MOS管 HY3210可(ke)以用KNX2910A替代 参数/规格书/封装详情(qing)-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-06-20
KIA半导体KNX2910A可以替(ti)代HY3210，KIA半导体深圳市利(li)盈娱乐(le)半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(guan)(MOSFET)、快速恢复二极管(guan)、三(san)端稳压(ya)管(guan)开发设计，集(ji)研发、生产和销售为一体的国家高(gao)新技术企业。
KIA半(ban)导(dao)体的(de)(de)产品(pin)(pin)涵盖工业、新(xin)(xin)能源、交通运(yun)输、绿色照明(ming)四大领域(yu)，不仅包括光(guang)伏逆(ni)变及无(wu)人机、充(chong)电桩、这类新(xin)(xin)兴能源，也涉及汽车配件、LED照明(ming)等(deng)家(jia)庭用品(pin)(pin)。KIA专注于产品(pin)(pin)的(de)(de)精细化与革新(xin)(xin)，力求(qiu)为客(ke)户提(ti)供最(zui)具(ju)行(xing)业领先、品(pin)(pin)质上乘(cheng)的(de)(de)科技产品(pin)(pin)。
下(xia)文(wen)将介绍HY3210和KNX2910A两个型号的参数(shu)对比、封装、规(gui)格(ge)书等详情(qing)。
1、开关电源中的高效同步整流
2、高速功率开关
RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V
超高密度电池(chi)设计
超低导通电阻
雪崩测试100%
提(ti)供(gong)无(wu)铅和绿(lv)色设备（符合(he)RoHS）
型号：KNX2910A
参数：130A/100V
漏(lou)源(yuan)电压：100V
栅源电压:±25V
雪崩能量单(dan)脉冲:552MJ
漏源击穿(chuan)电压:100V
输入电容：6800pF
输出电容：630pF
反向转移电容：350pF
查看及下(xia)载规格书，请(qing)点击下(xia)图。
RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩测试100%
可靠、坚固
无铅和绿色设备
电(dian)源切(qie)换应用(yong)
不间断(duan)电(dian)源
查看及下载规格书，请点击下图。
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