AO4406可(ke)用KNX6303A替换 用在1-3串的锂电池保护板(ban)上(shang)-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期：2019-06-25
AO4406可以用KIA半导(dao)体 KNX6303A替代。深圳市(shi)利盈娱(yu)乐半导(dao)体科(ke)技(ji)有限公司.是一(yi)家(jia)专业从事(shi)中、大(da)、功率场效应管(guan)(MOSFET)、快速恢复二(er)极(ji)管(guan)、三(san)端稳压管(guan)开(kai)发(fa)设计，集(ji)研发(fa)、生产和销(xiao)售为(wei)一(yi)体的国家(jia)高新技(ji)术企业。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体(ti)真正实现了一体(ti)化的(de)服务链，真正做(zuo)到了服务细(xi)节(jie)全到位的(de)品牌内涵，我们(men)致力于(yu)成为(wei)场效应(ying)管(guan)（MOSFET）功率器件领域的(de)领跑者(zhe)，为(wei)了这个目标，KIA半导体(ti)正在持续(xu)创新，永不(bu)止步！
下文会着重讲到MOS管(guan)AO4406和AO4406替代的(de)KNX6303A这两款型(xing)号参数(shu)、封(feng)装(zhuang)、规格书等其他资料(liao)。
Vds=30V
RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12A
RDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A
先进的沟道工(gong)艺技术
超(chao)低(di)导通(tong)电(dian)阻(zu)的(de)高密度电(dian)池设计
完全特征(zheng)雪崩(beng)电(dian)压和电(dian)流
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AO4406采用先(xian)进(jin)的(de)沟槽技(ji)术提供优(you)秀的(de)RDS(ON)，低(di)门(men)电(dian)荷和在低(di)至2.5伏(fu)的(de)栅极电(dian)压(ya)下(xia)工作。该装置是一个优(you)秀的(de)高压(ya)侧开关，用于笔记本电(dian)脑CPU核(he)心(xin)DC-DC转换。
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