新洁能 MOS管 NCE0115K可用KNX6610A替代 15A/100V 规格书

NCE0115K替代MOS管 KNX6610A

下文着重(zhong)介(jie)绍NCE0115K与KNX6610A两款(kuan)型号，主要从它们(men)的功能及封装(zhuang)引(yin)脚图、规格书(shu)、参(can)数(shu)、电路(lu)特征等(deng)知识汇总(zong)。

MOS管 KNX6610A产品概述

KNX6610A是最高(gao)性能(neng)的(de)(de)(de)沟槽N-ch MOSFETS，具有(you)极高(gao)的(de)(de)(de)高(gao)单(dan)元密(mi)度。为大多数(shu)同步降(jiang)压变换器的(de)(de)(de)应用提供了优良的(de)(de)(de)RDSON和栅极充电。KNX6610A符(fu)合RoHS和绿色产品要求(qiu)，100%EAS保(bao)证与可靠(kao)性。

MOS管 KNX6610A产品特征

RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=10V

先进(jin)的(de)高单(dan)元密度沟槽技术(shu)

超(chao)低栅(zha)电荷(he)

优异的CDV/DT效应(ying)

可用的绿色设(she)备

MOS管 KNX6610A 15A/100V应用领域

1、高频点负载(zai)同步降(jiang)压变换器(qi)

2、直(zhi)流联网供电(dian)系统(tong)

3、负荷(he)开关

MOS管 KNX6610A 15A/100V主要参数

型(xing)号：KNX6610A

工作方式：15A/100V

漏源极电压(ya)：100V

栅(zha)源电压：±20V

单脉冲雪崩能发电：7.3MJ

雪(xue)崩电流：11A

操(cao)作连接和(he)贮存温度范围(wei):-55至(zhi)150℃

漏源击穿电(dian)压：100V

温度(du)系数：0.098V/℃

前向跨导：13S

单脉冲雪(xue)崩能量:1.5MJ

二(er)极(ji)管前置电压：1.2V

MOS管 KNX6610A封装图

MOS管 KNX6610A 15A/100V规格书

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NCE0115K参数(shu)

漏源电(dian)压(ya)：100V

栅(zha)源电压：±20V

漏(lou)电流(liu)连续:15A

漏电流(liu)连续(xu)(TC=100℃)：10.6A

脉冲(chong)漏电流(liu)：60A

最大(da)功耗(hao)：50W

单(dan)脉(mai)冲雪崩(beng)能量：200MJ

漏源击穿电压：100V

输入电(dian)容(rong)：2000PF

输出(chu)电容：300PF

反向转移电容：250PF

MOS管NCE0115K应用领域

1、硬(ying)开关和高频电路

2、电源(yuan)切(qie)换(huan)应用

MOS管NCE0115K封装引脚图

MOS管NCE0115K规格书详情

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