50A/ 30V 50N03 低(di)内(nei)阻 3-4串保护板专用MOS管 封装类型多-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本站 日(ri)期(qi)：2019-08-26
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
产品型(xing)号：KIA50N03
工作方(fang)式：50A/30V
漏源(yuan)电压：30V
栅源电压：±20A
漏电(dian)流连续：50A
脉冲漏极电流(liu)：200A
耗散功率TA=25℃：60W
耗(hao)散(san)功率TA=25℃：23W
热电阻：50℃/W
漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电压：30V
零栅(zha)极(ji)电压漏极(ji)电流：1μA
输入电容(rong):1300pF
输(shu)出(chu)电容：270pF
反向(xiang)转移电容：145pF
查看及下载规格书(shu)，请(qing)点击下图。
联系方式：邹先(xian)生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳(zhen)市(shi)福田(tian)区车公庙天(tian)安数码城(cheng)天(tian)吉大厦CD座5C1
请搜微(wei)信(xin)公众(zhong)号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微(wei)信(xin)公众(zhong)号
请“关注”官方微(wei)信公众号(hao):提供 MOS管(guan) 技(ji)术帮助
