5N50 N沟道MOS原厂供应(ying)-5N50 PDF下(xia)载 5A/500V TO-252-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期：2019-09-03
RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V
符(fu)合RoHS
低导通电阻
低栅电(dian)荷
1、适配(pei)器
2、充电器
3、SMPS备用电(dian)源
型号：KIA5N50H
工作方式：5A/500V
漏源电压：500V
连续漏电流:5.0A
功(gong)耗(hao):100W
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩(beng)能：260MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
操作和存储温(wen)度范围:-55℃至150℃
漏源(yuan)击穿(chuan)电压：500V
前(qian)向传导:6S
输入电容：525pF
输出电(dian)容(rong)：64pF
反向转移电容(rong)：12pF
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