KCX6265A 11A/ 650V TO-220F封(feng)装(zhuang) N沟道MOS管(guan)原厂-KIA MOS管(guan)
信息来(lai)源：本(ben)站 日期：2019-10-08
MOS管(guan)KCX6265A是采(cai)用KIA半导体公司先进的超结技(ji)术生产，这(zhei)个(ge)先进的技(ji)术是专门定制、以减少传导损失，提供优越的切换(huan)性能，在(zai)雪崩和切换(huan)模式下承受高(gao)能脉冲适用于交直(zhi)流(liu)功率(lv)转换(huan)开(kai)关运(yun)行，效(xiao)率(lv)高(gao)。
RDS(on)=0.33Ω(typ.)@VGS=10V
低栅极电荷
高耐用
快速切换
100%雪崩试验
漏源电压：650V
栅源电压:±30V
漏电流脉冲：44A
单(dan)脉(mai)冲雪崩能量:250MJ
雪崩电流：11A
峰值二极(ji)管恢复dv/dt：15V/ns
操(cao)作和储存温度范围：-55℃至150℃
漏源击穿电压：650V
栅极电阻:5.2Ω
输入电容：632pF
输出电容：37pF
反(fan)向转(zhuan)移电容(rong)：2.3pF
KCX6265A 11A/ 650V TO-220F
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