MOS FET继电器的构成和动作原理及几大优势详解

MOS FET继电器的构成和动作原理

MOS FET继(ji)电(dian)(dian)器是在输出元(yuan)件中使(shi)用(yong)功率(lv)MOS FET的(de)SSR。为(wei)使(shi)功率(lv)MOS FET动作， 光(guang)电(dian)(dian)二极管阵(zhen)(zhen)列(lie)作为(wei)受光(guang)元(yuan)件使(shi)用(yong)。输入端(duan)子中有电(dian)(dian)流流过时， LED会发光(guang)。这个(ge)(ge)光(guang)使(shi)光(guang)电(dian)(dian)二极管阵(zhen)(zhen)列(lie)中发生光(guang)电(dian)(dian)流， 这使(shi)栅极电(dian)(dian)压使(shi)功率(lv)MOS FET置于ON。用(yong)源共通(tong)连接2个(ge)(ge)功率(lv)MOS FET， 可控制AC负载。DC专用(yong)的(de)类(lei)型(xing)中有带1个(ge)(ge)电(dian)(dian)源 MOS FET的(de)类(lei)型(xing)。

信号用MOS FET继电器(qi)G3VM不含变阻(zu)器(qi)。

MOS FET继电器的名称

该商品(pin)为新型商品(pin)， 在各(ge)个公司有各(ge)种名(ming)称、商标。下表表示(shi)信号用（相(xiang)当于G3VM） 的(de)示(shi)例(li)。

MOS FET继电器的几大优势

1、 超小型、轻(qing)量

2、 低驱动(dong)电流(liu)

在推(tui)荐(jian)运(yun)行条件(jian)（标准）下的(de)驱动电流(liu)为2-15mA。还(hai)有最小可用(yong)0.2mA驱动的(de)产品，为整体设备的(de)节能化作出(chu)贡献。

3、 寿(shou)命长

采用光信号传(chuan)输方式，实(shi)现无接(jie)点构造。不(bu)会因接(jie)点磨损(sun)而造成寿(shou)命缩短，实(shi)现了长使用寿(shou)命。

4、 漏电流微小(xiao)

能够耐(nai)受外来浪涌，也(ye)不带缓(huan)冲电路，正(zheng)常情况下，典型漏(lou)电流最大仅(jin)为1nA。

5、 耐冲击性优势

由(you)于(yu)内部零件完全(quan)为铸模，也没有活动零件等机械零件，因此耐冲(chong)击(ji)性(xing)、耐振(zhen)动性(xing)优(you)异。

6、 高绝缘性

将(jiang)电(dian)压转(zhuan)换成光、并作为信号传送，因此可对输入输出间进行电(dian)路隔离。标(biao)准型号可确保(bao)输入输出间耐电(dian)压AC2500V。也可以提供高达AC5000的产(chan)品。另外，SOP封装系列产(chan)品新增AC3750V产(chan)品。

7、 静音

由(you)于不(bu)会像机械式继电(dian)器那(nei)样因金属(shu)接点(dian)产生开闭(bi)音，因此有助于设(she)备的静音化。

8、 高速响(xiang)应性

0.2ms（SSOP、USOP、VSON）的(de)动作时间比机械式继(ji)电器(qi)的(de)3ms-5ms明显缩短。实现了迅速的(de)响应性(xing)。

9、正确控(kong)制微小模(mo)拟信(xin)号

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