MOS管电压型静电击穿分析 MOS管原厂专业制造

今天主要讲MOS管电压(ya)型静(jing)电击穿特点。其(qi)实MOS管一个ESD敏感器(qi)件，它本身的(de)输入电阻(zu)很高，而栅-源极(ji)间电容(rong)又非常(chang)小，所以极(ji)易受(shou)外界电磁场或静(jing)电的(de)感应而带(dai)电，又因(yin)在静(jing)电较强的(de)场合难于泄放(fang)电荷(he)，容(rong)易引起(qi)静(jing)电击穿。而静(jing)电击穿有(you)两种方式，电压(ya)型及功率型。

电(dian)压型击穿(chuan)，即MOS管栅(zha)极(ji)的薄氧(yang)化(hua)层发生(sheng)击穿(chuan)，形成针孔，使栅(zha)极(ji)和源极(ji)间(jian)短路，或者(zhe)使栅(zha)极(ji)和漏极(ji)间(jian)短路，它(ta)的特(te)点是：

（1）穿通(tong)击(ji)(ji)穿的(de)击(ji)(ji)穿点(dian)软，击(ji)(ji)穿过(guo)程中，电流有逐步(bu)增(zeng)大(da)的(de)特征，这是(shi)因为耗尽层扩(kuo)展较宽(kuan)，产(chan)生(sheng)电流较大(da)。另(ling)一方面，耗尽层展宽(kuan)大(da)容易发生(sheng)DIBL效应(ying)，使源(yuan)衬底(di)结正偏出现电流逐步(bu)增(zeng)大(da)的(de)特征。

（2）穿(chuan)(chuan)通(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)软击(ji)穿(chuan)(chuan)点(dian)发生在(zai)源(yuan)漏(lou)的(de)(de)(de)(de)耗(hao)尽层相接(jie)时(shi)，此时(shi)源(yuan)端(duan)的(de)(de)(de)(de)载流(liu)(liu)子注(zhu)入到(dao)耗(hao)尽层中(zhong)，被耗(hao)尽层中(zhong)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)场加(jia)速达(da)到(dao)漏(lou)端(duan)，因此，穿(chuan)(chuan)通(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)也(ye)有急剧增(zeng)大点(dian)，这个电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)(de)(de)急剧增(zeng)大和(he)雪(xue)崩击(ji)穿(chuan)(chuan)时(shi)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)急剧增(zeng)大不同，这时(shi)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)相当于源(yuan)衬(chen)底(di)PN结(jie)正向导通(tong)时(shi)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，而雪(xue)崩击(ji)穿(chuan)(chuan)时(shi)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)主要(yao)为PN结(jie)反向击(ji)穿(chuan)(chuan)时(shi)的(de)(de)(de)(de)雪(xue)崩电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，如(ru)不作限流(liu)(liu)，雪(xue)崩击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)要(yao)大。

（3）穿(chuan)(chuan)通击(ji)穿(chuan)(chuan)一般不(bu)会(hui)出现破(po)坏(huai)性击(ji)穿(chuan)(chuan)。因(yin)为穿(chuan)(chuan)通击(ji)穿(chuan)(chuan)场强没(mei)有达到雪(xue)崩击(ji)穿(chuan)(chuan)的场强，不(bu)会(hui)产生大量电子空(kong)穴对。

（4）穿通击穿一(yi)般发生在沟道(dao)体内，沟道(dao)表面(mian)不容易发生穿通，这主要是由于沟道(dao)注入使表面(mian)浓度比(bi)浓度大造成(cheng)，所以(yi)，对NMOS管一(yi)般都有防(fang)穿通注入。

（5）一般的，鸟嘴边缘的浓度(du)比(bi)沟(gou)道(dao)中间浓度(du)大，所以穿通击穿一般发生(sheng)在(zai)沟(gou)道(dao)中间。

（6）多(duo)晶栅长度对(dui)穿(chuan)(chuan)(chuan)通击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)是(shi)有影响的，随着栅长度增(zeng)加，击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)增(zeng)大。而(er)对(dui)雪崩击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)，严格来说也(ye)有影响，但是(shi)没有那么(me)显著。

MOS管原厂

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