场效应管的参数及作用、使用优势解析

直流参(can)数

场效应管的(de)参数，饱和漏极电(dian)流(liu)(liu)IDSS它(ta)可(ke)定义为：当栅(zha)、源极之间的(de)电(dian)压等于零，而(er)漏、源极之间的(de)电(dian)压大于夹断电(dian)压时，对应的(de)漏极电(dian)流(liu)(liu)。

夹断电压UP它可定义(yi)为：当UDS一(yi)定时，使ID减(jian)小到(dao)一(yi)个微小的(de)电流时所需的(de)UGS。

开(kai)启电压UT它可定义为：当UDS一(yi)定时，使(shi)ID到(dao)达某一(yi)个数(shu)值时所需的(de)UGS。

交流(liu)参数

交流参(can)数可分(fen)为输出(chu)电(dian)阻和低(di)(di)频(pin)(pin)互(hu)导2个(ge)参(can)数，输出(chu)电(dian)阻一般在几(ji)十千欧(ou)到几(ji)百(bai)千欧(ou)之(zhi)间，而(er)低(di)(di)频(pin)(pin)互(hu)导一般在十分(fen)之(zhi)几(ji)至(zhi)几(ji)毫西的(de)(de)范围内，特(te)殊的(de)(de)可达100mS，甚至(zhi)更高(gao)。

低频跨(kua)导(dao)gm它(ta)是描述栅(zha)、源电压对(dui)漏(lou)极电流(liu)的控制作用。

极(ji)间(jian)(jian)电(dian)容(rong)场效(xiao)应管三个(ge)电(dian)极(ji)之间(jian)(jian)的(de)电(dian)容(rong)，它(ta)的(de)值越(yue)小表示管子的(de)性能越(yue)好(hao)。

极(ji)限参数

①最大漏极电(dian)流(liu)是指管子正常工作时漏极电(dian)流(liu)允许的上限值，

②最大(da)耗散功(gong)率(lv)是指在管(guan)子(zi)中的功(gong)率(lv)，受到(dao)管(guan)子(zi)最高工作温度的限(xian)制，

③最大(da)漏源电(dian)压是(shi)指发生(sheng)在雪崩(beng)击穿(chuan)、漏极(ji)电(dian)流开始急剧上升时(shi)的(de)电(dian)压，

④最大栅源(yuan)电压是指栅源(yuan)间反向电流(liu)开(kai)始急(ji)剧增加时的(de)电压值。

除以上(shang)参数(shu)外(wai)，还有极间电容、高频参数(shu)等其他参数(shu)。

漏(lou)、源(yuan)击(ji)穿电(dian)(dian)压当漏(lou)极电(dian)(dian)流急剧(ju)上(shang)升时(shi)，产生雪崩击(ji)穿时(shi)的(de)UDS。

栅极(ji)击穿电(dian)(dian)压结型(xing)场效应管正常工作时，栅、源极(ji)之间(jian)的PN结处于反向偏置状态，若(ruo)电(dian)(dian)流过高，则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有：

1、IDSS—饱和漏源(yuan)电流(liu)。是指结型(xing)或耗尽型(xing)绝缘栅(zha)场效应管中，栅(zha)极电压UGS=0时的漏源(yuan)电流(liu)。

2、UP—夹断电压(ya)。是指结型(xing)或耗尽型(xing)绝缘栅场效应(ying)管中，使(shi)漏(lou)源间刚(gang)截止时(shi)的栅极电压(ya)。

3、UT—开启电(dian)压。是(shi)指增强型绝缘栅场(chang)效管中，使(shi)漏源间刚(gang)导通时的栅极(ji)电(dian)压。

4、gM—跨导(dao)。是(shi)表示栅源电(dian)压(ya)UGS—对(dui)漏极(ji)电(dian)流(liu)ID的控制能(neng)力(li)，即漏极(ji)电(dian)流(liu)ID变化(hua)(hua)量与栅源电(dian)压(ya)UGS变化(hua)(hua)量的比值。gM是(shi)衡(heng)量场效应(ying)管放大能(neng)力(li)的重要参数(shu)。

5、BUDS—漏源击穿(chuan)电压。是指(zhi)栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极(ji)限(xian)参数，加在场效应管上的工作电压必须小于(yu)BUDS。

6、PDSM—最(zui)大耗(hao)散功率。也是一(yi)项(xiang)极限(xian)(xian)参数，是指场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)性能不(bu)变坏(huai)时(shi)所允许(xu)的最(zui)大漏源耗(hao)散功率。使用时(shi)，场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)实际功耗(hao)应(ying)(ying)小(xiao)于PDSM并(bing)留有一(yi)定余量(liang)。7、IDSM—最(zui)大漏源电流(liu)。是一(yi)项(xiang)极限(xian)(xian)参数，是指场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)正(zheng)常工作(zuo)时(shi)，漏源间(jian)所允许(xu)通过的最(zui)大电流(liu)。场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)的工作(zuo)电流(liu)不(bu)应(ying)(ying)超过IDSM。

场效应管的使用优势

场(chang)效应(ying)管的参(can)数，场(chang)效应(ying)管是电压控(kong)制元件，而晶体管是电流控(kong)制元件。

在只(zhi)允许从信(xin)(xin)(xin)号源取较少电流(liu)的(de)情况下(xia)，应选用(yong)(yong)场(chang)效(xiao)应管(guan)；而在信(xin)(xin)(xin)号电压(ya)较低，又(you)允许从信(xin)(xin)(xin)号源取较多(duo)电流(liu)的(de)条件下(xia)，应选用(yong)(yong)晶体(ti)管(guan)。场(chang)效(xiao)应管(guan)是(shi)利用(yong)(yong)多(duo)数载流(liu)子导(dao)电，所以称(cheng)之为(wei)单极(ji)型(xing)器件，而晶体(ti)管(guan)是(shi)既有多(duo)数载流(liu)子，也(ye)利用(yong)(yong)少数载流(liu)子导(dao)电，被(bei)称(cheng)之为(wei)双极(ji)型(xing)器件。

有些场效应管(guan)的源(yuan)极(ji)和漏(lou)极(ji)可以互(hu)换(huan)使用，栅压也可正可负(fu)，灵活(huo)性比三极(ji)管(guan)好(hao)。

场(chang)效(xiao)(xiao)应管能在很(hen)(hen)小(xiao)电(dian)流和很(hen)(hen)低电(dian)压的条(tiao)件(jian)下工作，而(er)且它的制造工艺可以很(hen)(hen)方(fang)便地(di)把很(hen)(hen)多场(chang)效(xiao)(xiao)应管集(ji)成在一块硅片上，因此(ci)场(chang)效(xiao)(xiao)应管在大规模集(ji)成电(dian)路(lu)中得到了广(guang)泛的应用。

场效应管的作用

1.场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)可应(ying)(ying)用于放(fang)大(da)。由于场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)放(fang)大(da)器(qi)的输入阻抗(kang)很高，因此耦合电(dian)(dian)容可以(yi)容量较小，不(bu)必使用电(dian)(dian)解电(dian)(dian)容器(qi)。

2.场效应管很高(gao)的输入(ru)阻抗非(fei)常适合(he)作阻抗变换。常用于多级放(fang)大(da)器的输入(ru)级作阻抗变换。

3.场效应管可以用(yong)作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流(liu)源。

5.场效应管可以(yi)用作电子开关(guan)。

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