MOS管识别及MOS管和IGBT管的辨别-KIA MOS管

MOSFET类型识别小结

1）P沟(gou)道(dao)与N沟(gou)道(dao)的识别(bie)。

MOS管识别，MOSFET在导通时，传输(shu)电流(liu)的(de)(de)层为(wei)(wei)P沟道的(de)(de)，则为(wei)(wei)P沟道MOSFET；传输(shu)电流(liu)的(de)(de)层为(wei)(wei)N沟道的(de)(de)，则为(wei)(wei)N沟道MOSFET。

从原理图中(zhong)看(kan)的(de)话，可以(yi)看(kan)图上中(zhong)漏极源极下(xia)方所(suo)示(shi)的(de)为N型硅还是P型硅。

从(cong)代表(biao)符(fu)号(hao)上(shang)来(lai)识别的(de)(de)话，则(ze)是可以看中间短(duan)线上(shang)的(de)(de)箭(jian)头(tou)(tou)方向(xiang)(xiang)，向(xiang)(xiang)内则(ze)为(wei)N沟道，向(xiang)(xiang)外则(ze)为(wei)P沟道。（想象PN结的(de)(de)指向(xiang)(xiang)，P在箭(jian)尾，N在箭(jian)头(tou)(tou)，靠近(jin)短(duan)线的(de)(de)则(ze)表(biao)明其(qi)属性(xing)）

2）耗尽型与增强型的识别。

由(you)于MOSFET的(de)导(dao)电(dian)(dian)能(neng)力(li)就(jiu)是在导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)形(xing)成(cheng)(cheng)的(de)时(shi)候才具备(bei)的(de)，形(xing)成(cheng)(cheng)沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)则(ze)认为其导(dao)通，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)消失则(ze)认为其断开(kai)，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)形(xing)成(cheng)(cheng)与断开(kai)均(jun)受VGS的(de)控(kong)制。耗(hao)尽型MOSFET表示，其沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)在不加电(dian)(dian)压(ya)Vgs的(de)时(shi)候，是存(cun)在的(de)，可(ke)以理解为常闭开(kai)关。但是在满足控(kong)制要求的(de)电(dian)(dian)压(ya)后(hou)，则(ze)为断开(kai)。Vgs的(de)作(zuo)用就(jiu)是通过(guo)电(dian)(dian)压(ya)，使(shi)沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)中的(de)多(duo)子消散，从(cong)而使(shi)导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)中断，电(dian)(dian)流(liu)无(wu)法流(liu)通，开(kai)关断开(kai)。

加型MOSFET则(ze)表(biao)示(shi)，其(qi)沟道在(zai)(zai)不(bu)加电(dian)压(ya)(ya)(ya)Vgs的(de)时候，是不(bu)存在(zai)(zai)的(de)，即理解(jie)为(wei)(wei)常开(kai)开(kai)关。但是在(zai)(zai)满(man)足控制(zhi)要求的(de)电(dian)压(ya)(ya)(ya)后(hou)，则(ze)为(wei)(wei)闭合(he)(he)。Vgs的(de)作用(yong)就(jiu)是通过电(dian)压(ya)(ya)(ya)，使沟道中的(de)多子汇聚，从而形成导电(dian)沟道，电(dian)流可以流通，开(kai)关闭合(he)(he)。从代表(biao)符号上识别的(de)方(fang)法，则(ze)看中部与门极紧邻的(de)线为(wei)(wei)三条断线还是一条长线。三根断线则(ze)表(biao)示(shi)沟道本来不(bu)存在(zai)(zai)，本来为(wei)(wei)断开(kai)，加Vgs后(hou)才可闭合(he)(he)，因此(ci)为(wei)(wei)增(zeng)强(qiang)型MOSFET，如(ru)图1中的(de)所(suo)示(shi)；一条长线则(ze)表(biao)示(shi)，沟道本来就(jiu)存在(zai)(zai)，可以导电(dian)，加Vgs后(hou)才断开(kai)，因此(ci)为(wei)(wei)耗尽型MOSFET，如(ru)图2 中所(suo)示(shi)。

3）源(yuan)极漏极的识(shi)别(bie)。

无论N沟(gou)道还是P沟(gou)道的MOSFET，符号中(zhong)，与(yu)中(zhong)间(jian)短线连在一起的为(wei)源极，另一极为(wei)漏极。

图(tu)1   N沟道与(yu)P沟道MOSFET原理示意图(tu)与(yu)对应(ying)符号

图2 耗尽型MOSFET原(yuan)理(li)图及其代表符(fu)号

4）二(er)者(zhe)使用中的区别(bie)（仅针对增(zeng)加型MOSFET）。

MOS管好坏的判别方法

对于NMOS管：

先(xian)把MOS管(guan)的(de)(de)G极(ji)和(he)S极(ji)短接（用镊子夹一下就行了(le)），然后(hou)测(ce)量D极(ji)和(he)S极(ji)的(de)(de)电阻。测(ce)试(shi)时电流(liu)从S极(ji)流(liu)到D极(ji)，即红(hong)笔(bi)接S极(ji)，黑笔(bi)接D极(ji)，这个时候测(ce)出(chu)来的(de)(de)电阻和(he)正常MOS管(guan)测(ce)出(chu)来的(de)(de)做对比(bi)，如果差太(tai)大(da)，那肯(ken)定就是烧(shao)了(le)。如果表笔(bi)接反了(le)，正常的(de)(de)MOS管(guan)测(ce)出(chu)来的(de)(de)电阻是断(duan)路。（二极(ji)管(guan)存在的(de)(de)缘故）如果(guo)MOS管过压，一般会(hui)造成三端短(duan)路(lu)，功率电压进入G极(ji)(ji)(ji)，烧掉前面的栅极(ji)(ji)(ji)驱动芯片。如果(guo)MOS管过流，则一般烧断路(lu)。对于PMOS管，则相反，依据二极(ji)(ji)(ji)管的方向(xiang)

a) N沟道(dao)MOSFET的电(dian)流流向为由D-->S，P沟道(dao)的电(dian)流流向为S-->D；

b) N沟(gou)(gou)道(dao)MOSFET要(yao)使(shi)N沟(gou)(gou)道(dao)中多子--电子汇(hui)聚，因(yin)此门(men)极应(ying)为(wei)正电压(ya)(ya)(ya)(ya)，方可异(yi)性相吸，因(yin)此，Vgs为(wei)正电压(ya)(ya)(ya)(ya)。具(ju)体(ti)阀值(zhi)电压(ya)(ya)(ya)(ya)请查看其datasheet。P沟(gou)(gou)道(dao)MOSFET要(yao)使(shi)P沟(gou)(gou)道(dao)中多子--空穴(xue)汇(hui)聚，因(yin)此门(men)极应(ying)为(wei)负电压(ya)(ya)(ya)(ya)，方可异(yi)性相吸，因(yin)此，Vgs为(wei)负电压(ya)(ya)(ya)(ya)。具(ju)体(ti)阀值(zhi)电压(ya)(ya)(ya)(ya)请查看其datasheet。

如(ru)何(he)辨别MOS管的三个极：MOS管(guan)的三个(ge)极(ji)(ji)(ji)(ji)分别是：G（栅极(ji)(ji)(ji)(ji)），D（漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)）s（源(yuan)及(ji)），要求(qiu)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)及(ji)之间电压大于某(mou)一特(te)定值(zhi)，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)及(ji)才能导通。

1.判断栅(zha)极G

MOS管(guan)识别(bie)，MOS管(guan)驱(qu)动(dong)器主(zhu)要起波形(xing)(xing)整形(xing)(xing)和加强驱(qu)动(dong)的作(zuo)用(yong)(yong)：假(jia)如MOS管(guan)的G信号波形(xing)(xing)不(bu)够(gou)(gou)陡峭(qiao)，在点评切(qie)换阶段会(hui)造成大(da)量电能(neng)损耗其副作(zuo)用(yong)(yong)是(shi)降低(di)电路(lu)转(zhuan)换效率(lv)，MOS管(guan)发(fa)烧(shao)严(yan)峻(jun)，易热(re)损坏(huai)MOS管(guan)GS间存在一(yi)定电容，假(jia)如G信号驱(qu)动(dong)能(neng)力(li)不(bu)够(gou)(gou)，将(jiang)严(yan)峻(jun)影响波形(xing)(xing)跳变的时间。

MOS管识(shi)别，将G-S极(ji)(ji)短路，选(xuan)择万(wan)用表(biao)(biao)的(de)R×1档(dang)，黑表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)S极(ji)(ji)，红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)D极(ji)(ji)，阻(zu)值(zhi)应为(wei)几(ji)欧至十几(ji)欧。若发现(xian)某脚与其字两(liang)脚的(de)电阻(zu)均呈无(wu)限(xian)大(da)(da)，并且(qie)交换表(biao)(biao)笔(bi)后仍为(wei)无(wu)限(xian)大(da)(da)，则证实此脚为(wei)G极(ji)(ji)，由于它和另(ling)外两(liang)个(ge)管脚是绝缘的(de)。

2.判断源(yuan)极S、漏极D

将(jiang)万用表拨至R×1k档分别丈量(liang)三个管(guan)脚之间的电(dian)(dian)(dian)阻。用交换表笔法测(ce)两次(ci)电(dian)(dian)(dian)阻，其(qi)中(zhong)电(dian)(dian)(dian)阻值较低（一般为(wei)(wei)几(ji)千欧(ou)(ou)至十几(ji)千欧(ou)(ou)）的一次(ci)为(wei)(wei)正向电(dian)(dian)(dian)阻，此时黑表笔的是(shi)S极，红(hong)表笔接D极。因为(wei)(wei)测(ce)试前提(ti)不同，测(ce)出(chu)的RDS（on）值比手册中(zhong)给出(chu)的典型值要高一些。

3.丈量漏-源(yuan)通态电阻(zu)RDS（on）

在源(yuan)-漏之间有一个(ge)PN结，因此根据PN结正、反向电阻存(cun)在差异，可(ke)识别S极与D极。例如用500型万用表(biao)R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大(da)于0.58W（典型值）。

MOS管和IGBT管的辨别

带阻(zu)尼的(de)(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)与N沟道(dao)增强型(xing)MOMS管(guan)的(de)(de)识别带阻(zu)尼的(de)(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)与N沟道(dao)增强型(xing)MOMS管(guan)它(ta)们的(de)(de)栅极(ji)位(wei)(wei)置一(yi)样，IGBT管(guan)的(de)(de)C极(ji)位(wei)(wei)置跟MODS管(guan)的(de)(de)D极(ji)位(wei)(wei)置相(xiang)对(dui)应，IGBT管(guan)的(de)(de)e极(ji)位(wei)(wei)置跟MODS管(guan)的(de)(de)S极(ji)位(wei)(wei)置相(xiang)对(dui)应，对(dui)它(ta)们的(de)(de)好坏(huai)判断及(ji)及(ji)区(qu)分可以用动静态测量(liang)方法来完成。

静态测(ce)量(liang)判断MOS管和IGBT管的好坏

先(xian)将两个管(guan)子(zi)(zi)的(de)(de)管(guan)脚短路(lu)放(fang)掉静电(dian)(dian)，MOS管(guan)的(de)(de)D极与S极之间有个PN接(jie)，正向(xiang)导(dao)通反向(xiang)截止，于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大(da)(da)(da)，Rsd=几(ji)千欧。IGBT管(guan)的(de)(de)G极到c、e极的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)应为无穷大(da)(da)(da)，即Rgc=Rge=无穷大(da)(da)(da)，而IGBT管(guan)的(de)(de)之间有阻(zu)(zu)尼二(er)极管(guan)的(de)(de)存(cun)在，因此(ci)具(ju)有单(dan)向(xiang)导(dao)电(dian)(dian)反向(xiang)截止特性，即Rce=无穷大(da)(da)(da)，Rec=几(ji)千欧。从这里(li)只能用万用表的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)档判(pan)断(duan)出(chu)管(guan)子(zi)(zi)的(de)(de)好(hao)坏，却(que)区分不出(chu)是那种管(guan)子(zi)(zi)。测量得阻(zu)(zu)值很小，则说明管(guan)子(zi)(zi)被击穿，测量阻(zu)(zu)值很大(da)(da)(da)，说明管(guan)子(zi)(zi)内(nei)部断(duan)路(lu)。

动(dong)态(tai)测量区分(fen)MOS管(guan)和IGBT管(guan)

先(xian)用(yong)万用(yong)表给管(guan)(guan)子的(de)(de)(de)栅极施(shi)加电(dian)压，是(shi)场(chang)效应管(guan)(guan)建立起沟(gou)道，然后测(ce)(ce)量D、S及c、e之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)，根(gen)据(ju)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)差异来区分(fen)MOS管(guan)(guan)和IGBT管(guan)(guan)。用(yong)万用(yong)表的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)档测(ce)(ce)量两(liang)个(ge)管(guan)(guan)子的(de)(de)(de)D、S及c、e之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)，由于(yu)(yu)(yu)场(chang)效应管(guan)(guan)已(yi)经建立沟(gou)道，Rds=Rsd≈0，而Rce之(zhi)间(jian)呈现(xian)电(dian)阻(zu)(zu)Rce，晶体三极管(guan)(guan)处于(yu)(yu)(yu)放大(da)状态的(de)(de)(de)导通(tong)电(dian)阻(zu)(zu)，Rec为内部阻(zu)(zu)尼二极管(guan)(guan)的(de)(de)(de)导通(tong)电(dian)阻(zu)(zu)，两(liang)者均为几千欧。因此根(gen)据(ju)测(ce)(ce)量可(ke)知，两(liang)个(ge)管(guan)(guan)子的(de)(de)(de)导通(tong)程(cheng)度不一样，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)D、S之(zhi)间(jian)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)远小于(yu)(yu)(yu)IGBT管(guan)(guan)c、e之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)，于(yu)(yu)(yu)是(shi)可(ke)以分(fen)辨(bian)出MOS与(yu)IGBT管(guan)(guan)。

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