login_百达娱乐「一家受欢迎的游戏平台」cmos反相器的工作原理

cmos反相器工作(zuo)原(yuan)理是(shi)什么特性(xing)是(shi)什么

信息(xi)来源：本站　日期：2017-06-03　

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CMOS(cornplementary MOS)由(you)成(cheng)对(dui)的互补p沟道(dao)(dao)与n沟道(dao)(dao)MOSFET所组成(cheng)．CMoS逻辑成(cheng)为(wei)目前(qian)集成(cheng)电(dian)路设计最常用技术的缘由(you)，在于其(qi)有低(di)功率(lv)(lv)损耗(hao)以(yi)及较佳的噪声抑止才干．事实(shi)上，由(you)于低(di)功率(lv)(lv)损耗(hao)的需求，目前(qian)仅有CMOS技术被运(yun)用于ULSI的制造．

6.4.1CMOS反相器

如图6. 28所示，CMOS反(fan)相器为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS反相器中，p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此反相器的输入端，而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为反相器的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则衔接至电源供应端(VDD)，需留意的是p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管，当输入电压为低电压时（即vin=O，VGsn=o｜VTp｜（VGSp与VTp为负值），所以p沟道MOSFET．为导通态，

因此(ci)，输(shu)(shu)出(chu)(chu)端经(jing)过p沟(gou)道(dao)MOSFET充电至VDD，当输(shu)(shu)入电压逐渐升高，使栅极电压等于VDD时，由于VGSn＝VDD>VTn，所以(yi)(yi)n沟(gou)道(dao)MOSFET将(jiang)被(bei)导通，而由于｜VGSp ｜≈O<｜VTp｜，所以(yi)(yi)p沟(gou)道(dao)MOSFET将(jiang)被(bei)关闭(bi)．因此(ci)输(shu)(shu)出(chu)(chu)端将(jiang)经(jing)n沟(gou)道(dao)MOSFET放电至零(ling)电势，

欲更深(shen)化天(tian)文解CMOS反相器的工(gong)作，可先画出(chu)晶体管的输(shu)出(chu)特性，如(ru)图6.29所示，其中显现Ip以及In为输(shu)出(chu)电压（Vout）函数．Ip为p沟道MOSFET由(you)源极（衔接(jie)至(zhi)VDD）流(liu)向漏(lou)(lou)极（输(shu)出(chu)端）的电流(liu)；In为n沟道MOSFET由(you)漏(lou)(lou)极（输(shu)出(chu)端）流(liu)向源极（衔接(jie)至(zhi)接(jie)地端）

的(de)(de)电流．需留意(yi)的(de)(de)是(shi)在(zai)(zai)固(gu)定Vout下，增加输入电压(vin)将会增加In而减少(shao)Ip，但(dan)是(shi)在(zai)(zai)稳(wen)态时(shi)，In应(ying)与(yu)Ip相(xiang)同，关于给定一(yi)个Vin可由In(Vin)与(yu)Ip(Vin)的(de)(de)截距，计算出相(xiang)对(dui)应(ying)的(de)(de)Vout如图6. 29所(suo)示(shi)．如图6.30所(suo)示(shi)的(de)(de)Vin-Vout曲(qu)线(xian)称(cheng)为CMOS反相(xiang)器(qi)的(de)(de)传输曲(qu)线(xian)．

CMOS反相器(qi)的一个(ge)重要的特性(xing)是，当(dang)输出处于(yu)逻辑稳(wen)态（即Vout=或VDD）时(shi)(shi)，仅(jin)有一个(ge)晶体管导(dao)通，因(yin)此由电源供应处流(liu)(liu)到地端(duan)的电流(liu)(liu)非(fei)常小，且相当(dang)于(yu)器(qi)件关闭(bi)时(shi)(shi)的漏电流(liu)(liu)．事(shi)实上，只需在两个(ge)器(qi)件暂(zan)时(shi)(shi)导(dao)通时(shi)(shi)的极(ji)短(duan)暂(zan)态时(shi)(shi)间内才会有大电流(liu)(liu)流(liu)(liu)过，因(yin)此与其他(ta)种类如n沟道(dao)MOSFET、双极(ji)型等逻辑电路相比(bi)，其稳(wen)态时(shi)(shi)的功(gong)率损耗甚低.