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1、芯(xin)片发热

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动MOS管芯片的最大电流来自于驱动功率(lv)MOS管(guan)的(de)(de)(de)耗费，简单(dan)(dan)的(de)(de)(de)计算(suan)公式为(wei)I=cvf（思(si)索充(chong)电的(de)(de)(de)电阻效益(yi)，理论I=2cvf，其中c为(wei)功率MOS管的(de)(de)(de)cgs电容，v为(wei)功率管导通时的(de)(de)(de)gate电压，所以为(wei)了降(jiang)低(di)(di)芯片(pian)的(de)(de)(de)功耗，必需想(xiang)方(fang)法降(jiang)低(di)(di)c、v和f.假定(ding)c、v和f不能(neng)改动，那么请想(xiang)方(fang)法将芯片(pian)的(de)(de)(de)功耗分(fen)到(dao)芯片(pian)外的(de)(de)(de)器件，留意不要引入额(e)外的(de)(de)(de)功耗。再简单(dan)(dan)一点，就是思(si)索更好的(de)(de)(de)散热吧。

2、功率管发热(re)

关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分红两局部，开关损耗和导通损耗。要留意，大多数场所特别是LED市电驱动应用，开关损伤要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才干和工作频率有关，所以要处置功率管的发热能够从以下几个方面处置：
A、不(bu)能(neng)片面(mian)依(yi)据导通电阻大(da)小(xiao)来选择MOS功(gong)率(lv)管(guan)，由于内阻越小(xiao)，cgs和cgd电容(rong)越大(da)。如1N60的cgs为250pF左右(you)(you)，2N60的cgs为350pF左右(you)(you)，5N60的cgs为1200pF左右(you)(you)，差异太(tai)大(da)了，选择功(gong)率(lv)管(guan)时，够用就能(neng)够了。

B、剩下的(de)(de)(de)就是(shi)频(pin)(pin)(pin)率和(he)芯片驱动才干(gan)(gan)了(le)(le)，这(zhei)里只谈频(pin)(pin)(pin)率的(de)(de)(de)影响。频(pin)(pin)(pin)率与导(dao)通(tong)损耗(hao)也(ye)成正比，所以功率管发热时，首先要(yao)想想是(shi)不是(shi)频(pin)(pin)(pin)率选择的(de)(de)(de)有点高。想方法降低频(pin)(pin)(pin)率吧(ba)！不过要(yao)留意，当频(pin)(pin)(pin)率降低时，为了(le)(le)得到相(xiang)同的(de)(de)(de)负(fu)载才干(gan)(gan)，峰(feng)值电(dian)(dian)流(liu)必然要(yao)变大(da)(da)或(huo)者电(dian)(dian)感也(ye)变大(da)(da)，这(zhei)都有可能(neng)招致电(dian)(dian)感进(jin)入饱和(he)区域。假定电(dian)(dian)感饱和(he)电(dian)(dian)流(liu)够(gou)大(da)(da)，能(neng)够(gou)思索将(jiang)CCM（连(lian)续电(dian)(dian)流(liu)方式(shi)）改动成DCM（非连(lian)续电(dian)(dian)流(liu)方式(shi)），这(zhei)样就需求增加一个负(fu)载电(dian)(dian)容了(le)(le)。

3、工作频率降频

这个也是(shi)用户在调试(shi)过(guo)程中(zhong)比拟常(chang)见的(de)(de)现象，降频主要由两个方面招致。输(shu)入电压(ya)和(he)负载电压(ya)的(de)(de)比例小(xiao)、系统干扰大。关于前者，留(liu)意不(bu)要将(jiang)负载电压(ya)设置的(de)(de)太高(gao)(gao)，固然负载电压(ya)高(gao)(gao)，效率会高(gao)(gao)点。关于后者，能够(gou)尝试(shi)以下几个方面：a、将(jiang)最小(xiao)电流设置的(de)(de)再小(xiao)点;b、布线洁净点，特别是(shi)sense这个关键途径(jing);c、将(jiang)电感选择的(de)(de)小(xiao)点或者选用闭合(he)磁路的(de)(de)电感;d、加RC低通滤波吧，这个影响有(you)点不(bu)好(hao)，C的(de)(de)分(fen)歧性不(bu)好(hao)，倾(qing)向有(you)点大，不(bu)过(guo)关于照(zhao)明来说应(ying)该够(gou)了。无论如何降频没有(you)益处(chu)(chu)，只需害(hai)处(chu)(chu)，所以一(yi)定要处(chu)(chu)置。

4、电感(gan)或者变压器的选择

终于谈到(dao)(dao)重(zhong)点了，我还没有(you)入门，只(zhi)(zhi)能瞎说(shuo)点饱(bao)和(he)(he)的(de)(de)影响(xiang)了。很多用户(hu)反响(xiang)，相同的(de)(de)驱动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)路，用a消费的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)没有(you)问(wen)题，用b消费的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)就变(bian)(bian)小了。遇(yu)到(dao)(dao)这种状况，要看看电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)波(bo)形。有(you)的(de)(de)工程师没有(you)留意到(dao)(dao)这个现象，直接(jie)调(diao)理sense电(dian)(dian)(dian)(dian)阻或者(zhe)工作频率抵(di)达(da)需求的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，这样做可能会严重(zhong)影响(xiang)LED的(de)(de)运用寿命。所以说(shuo)，在设计(ji)前，合理的(de)(de)计(ji)算(suan)(suan)是必(bi)需的(de)(de)，假定理论计(ji)算(suan)(suan)的(de)(de)参数和(he)(he)调(diao)试(shi)参数差(cha)的(de)(de)有(you)点远，要思(si)索能否降频和(he)(he)变(bian)(bian)压(ya)器(qi)能否饱(bao)和(he)(he)。变(bian)(bian)压(ya)器(qi)饱(bao)和(he)(he)时，L会变(bian)(bian)小，招致传输delay惹起的(de)(de)峰值电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)增量急剧上升，那(nei)么LED的(de)(de)峰值电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)也(ye)跟着(zhe)增加。在均匀电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)不变(bian)(bian)的(de)(de)前提下，只(zhi)(zhi)能看着(zhe)光(guang)衰了。

5、LED电流大小
大(da)家都晓得LEDripple过(guo)(guo)大(da)的话，LED寿(shou)命会遭到影响，影响有多大(da)，也没见过(guo)(guo)哪个(ge)专家说(shuo)过(guo)(guo)。以前问(wen)过(guo)(guo)LED厂这(zhei)个(ge)数据，他(ta)们说(shuo)30%以内都能(neng)够承受，不(bu)过(guo)(guo)后(hou)来没有经过(guo)(guo)考证(zheng)。倡议还是尽量控制小点。假定散热处置的不(bu)好的话，LED一定要(yao)降额(e)运(yun)用。也希望有专家能(neng)给个(ge)细致指标，要(yao)不(bu)然(ran)影响LED的推行。

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