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MOS管主要参数如下：
1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为(wei)3～6V；-经过工(gong)艺(yi)上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流(liu)(liu)输(shu)入电(dian)阻RGS-即(ji)在栅(zha)源极之间加的(de)电(dian)压与栅(zha)极电(dian)流(liu)(liu)之比-这(zhei)一特性有时以流(liu)(liu)过(guo)栅(zha)极的(de)栅(zha)流(liu)(liu)表示-MOS管(guan)的(de)RGS能够很容易地超越1010Ω。

3. 栅源击穿电(dian)压BVGS-在(zai)增(zeng)加(jia)栅源电(dian)压过程(cheng)中(zhong)，使栅极电(dian)流IG由零(ling)开端剧增(zeng)时的VGS，称为(wei)栅源击穿电(dian)压BVGS。

4. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：
（1）漏极左近耗尽层的雪崩(beng)击穿

（2）漏源(yuan)极间(jian)的穿(chuan)通(tong)击穿(chuan)-有些MOS管中(zhong)，其沟道(dao)长(zhang)度较短(duan)，不时增加VDS会使(shi)漏区的耗尽层不断(duan)扩(kuo)展到(dao)源(yuan)区，使(shi)沟道(dao)长(zhang)度为(wei)零，即产(chan)生漏源(yuan)间(jian)的穿(chuan)通(tong)，穿(chuan)通(tong)后，源(yuan)区中(zhong)的多数载(zai)流(liu)子(zi)，将直承受(shou)耗尽层电场的吸收(shou)，抵达漏区，产(chan)生大的ID

5. 低频(pin)跨(kua)导gm-在(zai)VDS为(wei)某(mou)一固定(ding)数值的(de)条件下 ，漏(lou)极(ji)电流(liu)的(de)微变量和惹起这个变化的(de)栅源电压微变量之(zhi)比称为(wei)跨(kua)导-gm反(fan)映了栅源电压对漏(lou)极(ji)电流(liu)的(de)控制才能-是表征MOS管(guan)放大才能的(de)一个重要参数-普(pu)通在(zai)非常之(zhi)几(ji)至几(ji)mA/V的(de)范围(wei)内(nei)

6. 极(ji)间电容-三个(ge)电极(ji)之间都存在着极(ji)间电容：栅源电容CGS 、栅漏(lou)电容CGD和(he)漏(lou)源电容CDS-CGS和(he)CGD约为1～3pF-CDS约在0.1～1pF之间

7. 导通(tong)(tong)电(dian)阻RON-导通(tong)(tong)电(dian)阻RON阐明(ming)了VDS对ID的(de)(de)(de)影响(xiang) ，是漏极(ji)特性某一点切线(xian)的(de)(de)(de)斜(xie)率的(de)(de)(de)倒数-在(zai)饱和(he)区(qu)，ID简直(zhi)不随VDS改(gai)动(dong)，RON的(de)(de)(de)数值(zhi)很(hen)大，普(pu)通(tong)(tong)在(zai)几十千欧到几百(bai)千欧之(zhi)间-由于(yu)在(zai)数字电(dian)路(lu)中 ，MOS管(guan)导通(tong)(tong)时经常工作在(zai)VDS=0的(de)(de)(de)状态下，所以这时的(de)(de)(de)导通(tong)(tong)电(dian)阻RON可(ke)用原点的(de)(de)(de)RON来近似-对普(pu)通(tong)(tong)的(de)(de)(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)(de)(de)数值(zhi)在(zai)几百(bai)欧以内

8. 低频噪声系数NF-噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所惹起的-由于它的存在，就使一个放大器即使在没有信号输人时，在输出端也呈现不规则的电压或电流变化-噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）-这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小-低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数-场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小.

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