场效应管TMOS,VMOS

MOSFET构(gou)造，从纵剖面(mian)(mian)(mian)来看，栅(zha)极(ji)（栅(zha)区(qu)(qu)）、源(yuan)极(ji)（源(yuan)区(qu)(qu)）、漏极(ji)（漏区(qu)(qu)）大(da)致排列在(zai)同不断线(xian)上，这样的构(gou)造被称(cheng)为横向沟(gou)道(Ltcral Channel)构(gou)造。同时(shi)，栅(zha)极(ji)，精确一点(dian)说是“栅(zha)区(qu)(qu)”与漏区(qu)(qu)、源(yuan)区(qu)(qu)的分界面(mian)(mian)(mian)大(da)致也是平(ping)面(mian)(mian)(mian)状的，这种栅(zha)极(ji)构(gou)造称(cheng)为平(ping)面(mian)(mian)(mian)栅(zha)极(ji)(Planar Gate)构(gou)造。

上述构(gou)造(zao)的优点(dian)是(shi)(shi)结电容小，比拟(ni)合适于高频小功率应用，缺乏之(zhi)处(chu)是(shi)(shi)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)(ji)相距比拟(ni)远，导电沟道(dao)的宽度有限，不(bu)太合适于功率应用。“凹槽(cao)。形的“槽(cao)栅(zha)”(Trench Gate)构(gou)造(zao)可以(yi)增加(jia)栅(zha)区与(yu)源(yuan)区和漏区的接(jie)触面积，增加(jia)对(dui)电流的控(kong)制(zhi)才能。垂直沟道(dao)构(gou)造(zao)是(shi)(shi)将源(yuan)极(ji)(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)(ji)配置在(zai)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)的-侧，漏极(ji)(ji)(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)则是(shi)(shi)相向(xiang)排列，这(zhei)样的沟道(dao)构(gou)造(zao)缩短了(le)沟道(dao)长度，合适于大(da)电流应用。

功率MOS场效应管大(da)都采用“垂直(zhi)”沟(gou)道(dao)和(he)“槽(cao)栅(zha)”构(gou)(gou)造(zao)，合(he)起来简称(cheng)“沟(gou)槽(cao)栅(zha)”结构(gou)(gou)。电子显(xian)微(wei)镜下的照片以显(xian)现两种沟(gou)道(dao)和(he)栅(zha)极(ji)构(gou)(gou)造(zao)的主要区别（图(tu)1.14）。

TMOS (TrenchMOS)的称号固然指的是槽栅构造的MOSFET，但由于槽栅与垂直沟道常常是同时应用的，因而它也同时指垂直沟道构造，即“沟槽栅。构造的功率MOSFET。

最(zui)先应用的(de)槽栅构造的(de)剖(pou)面外(wai)形与英(ying)文字母“v”很类似（图1. 15），VMOS的(de)最(zui)初称号就是(shi)由此而(er)来(lai)，它是(shi)“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的(de)缩(suo)写，曾(ceng)经(jing)简称为“VVMOS”，至(zhi)今依(yi)然可(ke)以在一些公开的(de)材料(liao)中见到。这种依(yi)据栅极（栅区）的(de)剖(pou)面外(wai)形停止的(de)技术命名办法(fa)也被沿用了(le)下来(lai)，以后陆续呈现了(le)UMOS、πMOS等

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