STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文资料,优质现货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-19
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用，稳定可靠；KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷，KIA3506A封装形式：TO-252、TO-251。
漏源电压：60V
漏极电流：35A
漏源通态电阻(RDS(on))：20mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：39.2MJ
总功耗：45W
总栅极电荷：19.3nC
输入电容：2423PF
输出电容：145PF
开通延迟时间：7.2nS
关断延迟时间：36.4nS
上升时间：50ns
下降时间：7.6ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
