8n60场效应管参数(shu)代换,KIA8N60H参数(shu)引脚图,中文(wen)资料(liao)-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本(ben)站(zhan) 日期：2024-08-23
KIA8N60H场效应管(guan)漏(lou)源击穿电压600V，漏(lou)极电流7.5A，RDS（开(kai)）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现(xian)快速切(qie)换(huan)能力(li)；具有快速开(kai)关时间、改进的dv/dt能力(li)、高雪崩特性，高效稳定(ding)。KIA8N60H可以替(ti)代8N60型号在电(dian)(dian)源、LED驱动、PWM电(dian)(dian)机控制、高(gao)效DC-DC转(zhuan)换(huan)器和桥接电(dian)(dian)路中的高(gao)速开关应用，封装形(xing)式： TO-220、220F。
漏源电压：600V
漏(lou)极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压(ya)：±30V
脉冲漏电流：30A
最(zui)大功耗：147/48W
输(shu)入电容(rong)：1000PF
输(shu)出电容：110PF
反向传输(shu)电(dian)容：12PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：80nS
上升时间(jian)：50ns
下降(jiang)时间：70ns
联系方式：邹先生
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