76N60N参数代(dai)换,KCM3560A场效应管(guan)参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来(lai)源(yuan)：本站 日期：2024-08-27
KCM3560A场效应管(guan)可(ke)以(yi)替代(dai)76N60N使用，漏(lou)源(yuan)击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)600V，漏(lou)极(ji)电(dian)流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具(ju)有坚固(gu)的(de)高(gao)(gao)压(ya)终端、指定(ding)雪崩能(neng)量、与离散快速恢(hui)复(fu)二(er)极(ji)管(guan)相当的(de)源(yuan)极(ji)到(dao)漏(lou)极(ji)恢(hui)复(fu)时间、高(gao)(gao)温下规(gui)定(ding)的(de)IDSS和(he)VDS（ON）、隔(ge)离安装(zhuang)孔减少了安装(zhuang)硬件，专为(wei)(wei)电(dian)源(yuan)、转(zhuan)换器和(he)PWM电(dian)机控制的(de)高(gao)(gao)电(dian)压(ya)、高(gao)(gao)速开关应用设计，特别(bie)适用于二(er)极(ji)管(guan)速度和(he)换向安全操作区域(yu)至关重要的(de)桥(qiao)式(shi)电(dian)路(lu)，为(wei)(wei)防止意(yi)外(wai)电(dian)压(ya)瞬(shun)变(bian)提供额外(wai)的(de)安全裕度，性能(neng)出(chu)色；封装(zhuang)形(xing)式(shi)：TO-247。
漏电流连续：76A
漏电(dian)流脉冲(chong)：225.9A
栅源电压（连续）：±20V
耗散功率：595W
漏源击穿电压：600V
栅(zha)极阈值电压(ya)：2V
输(shu)入(ru)电容：6018 PF
输出(chu)电容：245 PF
反向传输电容：23PF
开(kai)通延迟时间：48.1nS
关断延迟时间(jian)：179.1nS
上升时间：114.8ns
下降时间：113.3ns
联系方式：邹先生(sheng)
联(lian)系电(dian)话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微(wei)信同(tong)号）
QQ：2880195519
联(lian)系(xi)地址(zhi)：深(shen)圳市福田(tian)区金田(tian)路(lu)3037号(hao)金中环(huan)国际(ji)商务大厦2109
请搜微信公众(zhong)号:“KIA半导体”或(huo)扫(sao)一扫(sao)下(xia)图“关注”官方微信公众(zhong)号
请“关(guan)注”官方微信(xin)公(gong)众号(hao):提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其(qi)它出处，如有侵权，请联系(xi)删除(chu)。
