10n65场效应(ying)管(guan)参数(shu)(shu),KIA10N65H参数(shu)(shu)引脚图,中(zhong)文资料-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站(zhan) 日期：2024-09-04
KIA10N65H场效(xiao)应管漏(lou)源(yuan)击穿电(dian)(dian)压650V，漏(lou)极电(dian)(dian)流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低(di)导通电(dian)(dian)阻，低(di)栅极电(dian)(dian)荷(典型48nC)，有效(xiao)降低(di)开(kai)关(guan)(guan)损(sun)耗，提升效(xiao)率；具有快速(su)交换功能(neng)、指定的雪崩能(neng)量(liang)以及改(gai)进的DV/DT功能(neng)，稳定可靠，提高(gao)开(kai)关(guan)(guan)响(xiang)应速(su)度，可以替代10n65型号应用在高(gao)压、高(gao)速(su)功率开(kai)关(guan)(guan)应用中，如高(gao)效(xiao)开(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)源(yuan)、LED驱(qu)动、储能(neng)电(dian)(dian)源(yuan)；封装形式：TO-220F。
漏源电(dian)压：650V
漏极电(dian)流：10A
漏(lou)源(yuan)通态(tai)电阻：0.65Ω
栅(zha)源电压：±30V
脉(mai)冲漏电流：40A
雪崩(beng)能量单脉冲：709MJ
功率耗散：52W
总(zong)栅(zha)极电荷(he)：48nC
输入电容：1650PF
输出电容(rong)：1665PF
开通(tong)延迟时间：25nS
关断延(yan)迟(chi)时间：140nS
上升时间(jian)：70ns
下降时(shi)间：80ns
联系方式：邹先生(sheng)
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