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信息(xi)来源:本站 日期:2024-09-11 

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KIA100N03场效应管采用先进平面条(tiao)纹DMOS技(ji)术生产,漏(lou)源击(ji)穿(chuan)电(dian)压30V,漏(lou)极(ji)电(dian)流为90A,RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V,最小化(hua)通态电(dian)阻,提高效率,在雪(xue)崩和整流模式下能(neng)(neng)承受高能(neng)(neng)量脉冲(chong);增强(qiang)的dv/dt能(neng)(neng)力、快速切换,绿色设备可用。KIA100N03可以(yi)替代irl8726型号应(ying)用在高效率(lv)开关电(dian)(dian)源,小功(gong)率(lv)LED、锂(li)电(dian)(dian)池保护板;封装形式:TO-251、252、263、220。

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漏源电压(ya):30V

漏电流连续:90A

栅(zha)源电(dian)压:±20A

脉冲(chong)漏极电流:360A

雪崩电流:50A

雪(xue)崩能量:125mJ

耗散功率:88W

栅(zha)极阈值电(dian)压(ya):1.2V

输入(ru)电(dian)容:3070PF

输出电容(rong):400PF

反(fan)向传输电容:315PF

开启延(yan)迟时间:12.6ns

关断延(yan)迟时间:12.6ns

上(shang)升(sheng)时间:42.8ns

下(xia)降时间:13.2ns


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