电机驱动mos管,KIA35P10AD场效应管参数,TO-252-KIA MOS管
信(xin)息来(lai)源：本站(zhan) 日期：2024-10-11
KIA35P10AD场效应(ying)管采(cai)用先进的沟(gou)槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极(ji)电流(liu)-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，提供出色(se)的RDS（ON）和栅极(ji)电荷(he)，最(zui)大限度地(di)减少(shao)导通(tong)损耗，最(zui)小化开关损耗；优秀的QgxRDS（on）产品（FOM），提供卓越的开关性(xing)能，符合JEDEC标准，性(xing)能稳定可靠；封装形式：TO-252。
工作(zuo)方式：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲(chong)漏电流:-135A
单脉冲雪崩能量(liang):95mJ
最大功耗：94W
操作(zuo)和储存(cun)温度范围(wei)：-55℃至+150℃
漏源击(ji)穿电(dian)压：-100V
栅源(yuan)漏电流:±100nA
输入电容：5700pF
输出电容：170pF
联(lian)系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机(ji)：18123972950（微信同(tong)号）
QQ：2880195519
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