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12N10场效(xiao)应管参(can)数(shu),330a100v,KCX012N10N参(can)数(shu)-KIA MOS管

信(xin)息(xi)来(lai)源(yuan):本站 日期:2025-07-01 

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12N10场效应管参数引脚图

KCX012N10N场(chang)效应管漏(lou)源击(ji)穿电压100V,漏(lou)极电流330A ,采用先进的(de)MOS技术制造,极低(di)导通电阻RDS(开(kai)启) 1.4mΩ,卓(zhuo)越的(de)QgxRDS(on)产品(FOM),减少(shao)开(kai)关损耗,高效稳定;符合JEDEC标准,坚固可靠,在(zai)电机控制和驱动、电池管理、不(bu)间断电源(UPS)中广泛应用;封装形式:TO-263、TOLL,高功率处理能(neng)力。

12N10场效应管参数

12N10场效应管参数

漏源电压:100V

漏极(ji)电流(liu):330A

栅源(yuan)电(dian)压(ya):±20V

脉(mai)冲(chong)漏电(dian)流:1320A

单脉冲(chong)雪崩能量:540MJ

功率耗(hao)散(san):461W

阈(yu)值电压:3V

总栅(zha)极电荷:260nC

输入电容:15800PF

输出(chu)电容:1930PF

反向传输电(dian)容(rong):75PF

开通延迟(chi)时间:81nS

关断延迟时(shi)间:167nS

上升时间:178ns

下(xia)降(jiang)时间:68ns

12N10场效应管参数规格书

12N10场效应管参数

12N10场效应管参数


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