6N65供应商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下载-KIA官网
信(xin)息来源：本站 日期：2018-01-26
特点
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型(xing)的16nc）
高耐用性(xing)
快速切换(huan)的能力
雪崩能量
改进的(de)dt／dt能力
产品型号：KIA6N65HD
工作方式：5.5A/650V
漏(lou)源电压：650V
栅(zha)源电(dian)压：±30V
漏(lou)电流连(lian)续(xu)：5.5*A
脉(mai)冲漏极电流：16.0A
雪崩能(neng)量：300mJ
耗散(san)功(gong)率：80W
热(re)电阻：50*（110）℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电(dian)压：2.0V
输入电容：620 PF
输出电容：65 PF
上升时间：45 ns
封装形式：TO-252
 |
KIA6N65（5.5A/650V） |
| 产品编号 | KIA6N65/HD |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低(di)栅极电荷（典型的16nc） 高(gao)耐用性 快速切换的能(neng)力 雪崩能量 改进(jin)的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序 |
| 封装形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总5页 |
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