KIA16N50参数指(zhi)标

功(gong)率(lv)MOSFET采用先进的(de)平面条形DMOS工(gong)艺生(sheng)产的(de)起亚。这(zhei)种(zhong)先进的(de)技术(shu)已特别定制，以尽量减少(shao)对国家的(de)阻力(li)，提供优越的(de)开关。性(xing)能，在雪崩(beng)和换(huan)流模式下承(cheng)受高(gao)能量脉冲。这(zhei)些(xie)设备非常适合于高(gao)效率(lv)开关电源，有(you)源功(gong)率(lv)因数校(xiao)正的(de)基础上半(ban)桥拓扑。

KIA16N50特(te)征

RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v

低(di)栅(zha)极电荷（典(dian)型的(de)45nc）

快速切换的(de)能力(li)

雪崩能(neng)量

改进的dt／dt能力

KIA16N50应用

高效率开(kai)关电源(yuan)，有源(yuan)功率因数校正的基础上(shang)半桥(qiao)拓扑(pu)。

参数(shu)指标

产品(pin)型号：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源电(dian)压：500V

栅源电压：±30V

漏(lou)电流连续：16*A

雪崩能量：853mJ

功率耗损：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿(chuan)电(dian)压：38.5V

栅(zha)极(ji)阈值电(dian)压：3.0V

输入(ru)电容：2200 PF

输出电容：350 PF

上升时间：170 ns

封装形式：TO-220F、TO-3P、TO-247

	KIA16N50（16A 500V）
产品(pin)编号	KIA16N50HF/HH/HM
FET极性(xing)	N沟道MOSFET
产(chan)品工艺(yi)	功(gong)率MOSFET采用(yong)先(xian)进的(de)(de)(de)平面条(tiao)形DMOS工艺生产的(de)(de)(de)起亚。这(zhei)种(zhong)先(xian)进的(de)(de)(de)技术已(yi)特别定制，以尽量(liang)减少对(dui)国(guo)家的(de)(de)(de)阻力，提供优越(yue)的(de)(de)(de)开关。性(xing)能，在(zai)雪(xue)崩和换流模式下承受高能量(liang)脉(mai)冲。这(zhei)些设备非(fei)常适(shi)合于(yu)高效率开关电源(yuan)，有(you)源(yuan)功(gong)率因(yin)数校(xiao)正的(de)(de)(de)基础上半桥拓扑。
产品特征	RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的45nc）快速切换的能力雪崩能(neng)量(liang) 改进的dt／dt能力(li)
适用范围	主要(yao)适用(yong)于(yu)高效(xiao)率(lv)开关电源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)因数校(xiao)正的基(ji)础上半桥拓扑
封装形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
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厂家	KIA原厂家(jia)
网(wang)址(zhi)	shkegan.com
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