KND4820B现货供(gong)应(ying)商 KND4820B PDF文件下载 9A 200V参数资料(liao)-KIA 官网
信息来源(yuan)：本站 日期：2018-03-08
1、应用
KND4820B通道增强型硅栅功(gong)(gong)率(lv)MOSFET的(de)高电压设计(ji)，高速功(gong)(gong)率(lv)开关(guan)(guan)应用，如高效率(lv)开关(guan)(guan)电源(yuan)，有源(yuan)基于半桥拓(tuo)扑(pu)结构的(de)功(gong)(gong)率(lv)因数校正电子镇流(liu)器。
2、特征
专(zhuan)有的新平面技术
RDS（ON），典型(xing)值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷最小化开关损耗(hao)
快速恢复体(ti)二极管
3、产品参(can)数(shu)
产品型(xing)号：KND4820B
工(gong)作方式：9A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
漏电流(liu)连续：9.0A
脉(mai)冲漏极(ji)电流：36A
雪(xue)崩能(neng)量(liang)：300mJ
耗散功率：83V
热电(dian)阻：75℃/W
漏源(yuan)击穿电压：200V
栅极阈值(zhi)电(dian)压(ya)：1.0V
输入电容：418PF
输出电容(rong)：94PF
上升时间：6.0ns
封装形式：TO-251、TO-252
4、产品规格
 |
KND4820B |
| 产品编号 | KND4820B 9A/200V |
| 产品特征 |
专有的新平(ping)面技术 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低(di)门(men)电荷(he)最小化开(kai)关损(sun)耗 快(kuai)速恢复体二极管 |
| 适用范围 |
高速功率开关应用(yong)，如(ru)高效率开关电源，有(you)源基(ji)于半(ban)桥(qiao)拓扑结构的功率因数(shu)校正电子镇流器。 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总8页 |
联系方式：邹先(xian)生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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