70N06 mos现货供(gong)应商 KIA70N06 70A/60V PDF文件资料-KIA mos管
信息来源(yuan)：本站(zhan) 日期(qi)：2018-03-26
70N06N沟道增强型功率场效应晶体管是使用(yong)起亚的(de)专有(you)的(de)，平面条形DMOS技术(shu)。这项(xiang)先(xian)进技术(shu)已(yi)特(te)别(bie)定制(zhi)。最大限度地降低通态电(dian)(dian)阻，提(ti)供优(you)越的(de)开关(guan)性(xing)能，并承受高能量脉(mai)冲。在雪崩(beng)和(he)换相(xiang)模式(shi)下。这些器件非常适(shi)合于低电(dian)(dian)压应用(yong)作为(wei)汽车，DCDC转换器，高效率的(de)开关(guan)电(dian)(dian)源管理便携式(shi)和(he)电(dian)(dian)池(chi)供电(dian)(dian)产品。
70A, 60V, RDS(on) = 0.015? @VGS = 10 V
低栅极电荷（典型的(de)48nc）
低(di)反馈电容(rong)（典型(xing)的(de)32.5pf）
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
175o最高结温度等(deng)级(ji)
产品型(xing)号：KIA70N06
工作方式：70A/60V
漏源(yuan)电(dian)压：60V
栅(zha)源(yuan)电压：±20V
漏电流连续：70A
脉冲漏极(ji)电流：260A
雪崩(beng)电流：65A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：150W
热电阻(zu)：62.5℃/V
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.07V/℃
栅(zha)极阈值电(dian)压：2.0V
输入电容：2000PF
输出电容(rong)：450PF
上(shang)升(sheng)时(shi)间(jian)：33ns
封装形式(shi)：TO-263
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KIA70N06 |
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产品编号 |
KIA70N06 70A/60V |
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产品特征(zheng) |
70A, 60V, RDS(on) = 0.015? @V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的48nc） 低反馈电容（典(dian)型的32.5pf） 快速切换 100%雪(xue)崩(beng)测试 改(gai)进的dt／dt能(neng)力 175o最高结温度等级(ji) |
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适(shi)用范围 |
主要适用(yong)于(yu)低(di)电压应用(yong)作(zuo)为汽车，DCDC转换器，高(gao)效率的(de)开关电(dian)源管理便携式和电(dian)池供电(dian)产品(pin) |
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封装形式(shi) |
TO-263 |
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KIA（利(li)盈(ying)娱乐） |
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