快恢复二极管 HID专(zhuan)用 6A600V 快恢复二极管参数资料-KIA MOS管
信息来(lai)源:本站(zhan) 日(ri)期:2018-03-30
该(gai)系列艺术装(zhuang)置设计用于开关(guan)电源状态,逆(ni)变器和自由旋转二极管(guan)。
高效率,低VF
高电(dian)流能力(li)
高可靠性(xing)
反向电(dian)压(ya)为600伏
高浪涌电流能力
低(di)功耗用于低(di)压(ya)、高(gao)频发生器、自(zi)由开关和极性保(bao)护应用
案例(li):252模(mo)压(ya)塑料
环氧树脂:UL 94V-0率(lv)阻燃
端子(zi):纯镀锡,无铅。焊接按照MIL-STD-202,方(fang)法208的保证
极性(xing):作为标记
高(gao)温焊接(jie)保证:260 o C / 10秒。16”(4.06mm)案例(li)
产品型号:KIA06TB60D
工(gong)作方(fang)式(shi):6A/600V
反向(xiang)重复峰(feng)值电压:600V
最大平均整流(liu)(liu)电流(liu)(liu):6A
正向电流有效值:8.4A
非(fei)重复(fu)峰值浪涌电流:56A
工作结温(wen)度(du)和储存:-55to+150℃
温(wen)度范围:2℃/W
最大(da)热电阻电压:1.4V
反向(xiang)漏电流:500μA
反向恢复(fu)时(shi)间:28ns
封装形式(shi):TO-252
联系方式:邹先生(sheng)
联(lian)系(xi)电话:0755-83888366-8022
手(shou)机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深(shen)圳(zhen)市福(fu)田区(qu)车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉大厦CD座5C1
关注(zhu)KIA半导体工(gong)程专辑请搜(sou)微(wei)信(xin)号:“KIA半导体”或点(dian)击本文(wen)下方图片扫一扫进入官(guan)方微(wei)信(xin)“关注(zhu)”
长按二维码识别(bie)关注