9435A原厂供应商(shang) 9435AmosP沟道价格 9435A中文资料(liao) KIA MOS管(guan)
信(xin)息(xi)来源：本站 日(ri)期：2018-04-02
KIA9435A是高(gao)密度沟槽P-CH MOSFET，提供出(chu)色的导通电(dian)阻和大(da)多数同步降(jiang)压转(zhuan)换器应(ying)用的栅极电(dian)荷。KIA9435A满足ROHS与绿色产品要求
RDS（ON）= 40mΩ（典型值）@ VGS=10V
超低栅电(dian)荷
绿(lv)色的可(ke)用设备(bei)
优良的CDV / dt效(xiao)应递减
先进(jin)的高密度沟槽技术
产品型(xing)号(hao)：KIA9435A
工作方式：-5.3A/30V
漏(lou)源电压(ya)：-30V
栅源电压(ya)：±20A
漏电(dian)流连续：-5.3A
脉冲漏极电流：-25A
雪崩电流：-19A
雪崩能量：18.1mJ
耗(hao)散功率：1.5W
热电(dian)阻：85℃/V
漏源击穿电压(ya)：-30V
温度系数：-0.02
栅极阈值电压(ya)：-1.2V
输入(ru)电(dian)容(rong)：585PF
输出电容：100PF
上升时间：8.4ns
封装形式：SOP-8
|
|
KIA9435A |
|
产(chan)品编号 |
KIA9435A -5.3/-30V |
|
产(chan)品描述 |
KIA9435A是高密度(du)沟槽P-CH MOSFET，提(ti)供出(chu)色的导(dao)通(tong)电阻和大多数同步降压转换(huan)器应用的栅极电荷。KIA9435a满(man)足ROHS与绿色产品要求 |
|
产品特(te)征(zheng) |
RDS（ON）= 40mΩ（典型值）@ VGS=10V 超低栅(zha)电荷 绿色的(de)可用设备 优良的CDV / dt效应(ying)递减 先进的(de)高(gao)密度沟槽(cao)技术 |
|
封装形式 |
SOP-8 |
|
PDF文件 |
|
|
LOGO |
|
|
厂家 |
KIA（利盈娱乐） |
|
网址 |
|
|
PDF页总数 |
总4页 |
联系方式：邹(zou)先生
联系(xi)电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地(di)址：深圳市福田区车(che)公庙天安(an)数(shu)码城天吉大厦CD座(zuo)5C1
关注(zhu)KIA半导体工(gong)程专辑请(qing)搜(sou)微信(xin)号:“KIA半导体”或点击本(ben)文下方图(tu)片扫(sao)(sao)一扫(sao)(sao)进(jin)入官方微信(xin)“关注(zhu)”
长(zhang)按二(er)维码识别关注
