锂(li)(li)电(dian)池(chi)保(bao)护板-锂(li)(li)电(dian)池(chi)保(bao)护板原理及锂(li)(li)电(dian)池(chi)主要功能介绍-KIA MOS管
信(xin)息来源:本站 日期(qi):2018-06-21
锂(li)电(dian)(dian)池(chi)(chi)保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)板原理(可充(chong)(chong)(chong)型(xing))之所(suo)以需(xu)要保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu),是由(you)它本(ben)身特性决定的(de)。由(you)于锂(li)电(dian)(dian)池(chi)(chi)保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)板原理本(ben)身的(de)材料决定了它不能被过充(chong)(chong)(chong)、过放(fang)、过流(liu)(liu)、短路(lu)及超高(gao)温(wen)充(chong)(chong)(chong)放(fang)电(dian)(dian),因此锂(li)电(dian)(dian)池(chi)(chi)锂(li)电(dian)(dian)组(zu)件总会跟着一块精(jing)致的(de)保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)板和(he)(he)一片电(dian)(dian)流(liu)(liu)保(bao)(bao)(bao)险器出现。锂(li)电(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)功能通常由(you)保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)电(dian)(dian)路(lu)板和(he)(he)PTC协同完成(cheng),保(bao)(bao)(bao)护(hu)(hu)(hu)板是由(you)电(dian)(dian)子(zi)电(dian)(dian)路(lu)组(zu)成(cheng),在-40℃至+85℃的(de)环(huan)境下(xia)时刻准确的(de)监视(shi)电(dian)(dian)芯(xin)的(de)电(dian)(dian)压和(he)(he)充(chong)(chong)(chong)放(fang)回路(lu)的(de)电(dian)(dian)流(liu)(liu),即(ji)时控制电(dian)(dian)流(liu)(liu)回路(lu)的(de)通断;PTC在高(gao)温(wen)环(huan)境下(xia)防止电(dian)(dian)池(chi)(chi)发生恶劣(lie)的(de)损坏。
锂(li)电(dian)(dian)池保护(hu)板原(yuan)理通(tong)常(chang)包括控(kong)制(zhi)IC、MOS开关(guan)、电(dian)(dian)阻、电(dian)(dian)容及(ji)(ji)辅助(zhu)器件NTC、ID存(cun)储(chu)器等。其(qi)中控(kong)制(zhi)IC,在一(yi)切正常(chang)的(de)(de)(de)情况(kuang)下控(kong)制(zhi)MOS开关(guan)导通(tong),使电(dian)(dian)芯(xin)与外电(dian)(dian)路沟通(tong),而当电(dian)(dian)芯(xin)电(dian)(dian)压或回路电(dian)(dian)流(liu)超过规定(ding)值(zhi)时(shi)(shi),它立刻(数十毫秒)控(kong)制(zhi)MOS开关(guan)关(guan)断(duan),保护(hu)电(dian)(dian)芯(xin)的(de)(de)(de)安全。NTC是(shi)Negative temperaturecoefficient的(de)(de)(de)缩写,意即负温度(du)系(xi)数,在环境温度(du)升高时(shi)(shi),其(qi)阻值(zhi)降低,使用电(dian)(dian)设备(bei)或充电(dian)(dian)设备(bei)及(ji)(ji)时(shi)(shi)反(fan)应、控(kong)制(zhi)内部中断(duan)而停止充放电(dian)(dian)。ID 存(cun)储(chu)器常(chang)为单线接口存(cun)储(chu)器,ID是(shi)Identification 的(de)(de)(de)缩写即身份(fen)识别的(de)(de)(de)意思,存(cun)储(chu)电(dian)(dian)池种类、生(sheng)产(chan)日期等信息(xi)。可起到产(chan)品的(de)(de)(de)可追溯(su)和(he)应用的(de)(de)(de)限(xian)制(zhi)。
由于锂离子电(dian)池的(de)化学(xue)特性,电(dian)池生产厂家规定了其放(fang)电(dian)电(dian)流最大(da)不能超过2C(C=电(dian)池容(rong)量(liang)/小时),当电(dian)池超过2C电(dian)流放(fang)电(dian)时,将(jiang)会导致(zhi)电(dian)池的(de)永久性损坏或出(chu)现安全问题
1:控(kong)制ic,2:mos开关管 另(ling)外还加(jia)一些微容和微阻(zu)而组成
控制(zhi)ic 作(zuo)用(yong)是对(dui)电池(chi)的(de)保(bao)(bao)护,如达(da)(da)到(dao)保(bao)(bao)护条件(jian)(jian)就(jiu)控制(zhi)mos进(jin)行断开或(huo)闭合(如电池(chi)达(da)(da)到(dao)过充、过放、短(duan)路、过流、等保(bao)(bao)护条件(jian)(jian)),其中mos管(guan)的(de)作(zuo)用(yong)就(jiu)是开关作(zuo)用(yong),由控制(zhi)ic开控制(zhi)。
串(chuan)联电池组中的(de)任意一(yi)只电池的(de)电压下降到过(guo)放(fang)检(jian)测电压并(bing)且(qie)达到过(guo)放(fang)延时时间时,过(guo)放(fang)保护(hu)(hu)功能(neng)启动,切断放(fang)电MOS管,禁止电池组对外输(shu)出电流,保护(hu)(hu)电池组安全,锂(li)电池保护(hu)(hu)板原理电路板进(jin)入休(xiu)眠(mian)状(zhuang)(zhuang)态,电路板消耗电流为休(xiu)眠(mian)电流以下,进(jin)入休(xiu)眠(mian)状(zhuang)(zhuang)态的(de)电路只有在连(lian)接充电器后,并(bing)且(qie)电池电压超过(guo)过(guo)放(fang)恢复(fu)电压后才能(neng)恢复(fu)。
过充电(dian)(dian)(dian)保(bao)(bao)护:锂电(dian)(dian)(dian)池保(bao)(bao)护板原(yuan)理必(bi)须具(ju)有(you)预(yu)(yu)防(fang)电(dian)(dian)(dian)芯(xin)电(dian)(dian)(dian)压超(chao)过预(yu)(yu)设值(zhi)的(de)能(neng)力过放电(dian)(dian)(dian)保(bao)(bao)护:保(bao)(bao)护板必(bi)须具(ju)有(you)预(yu)(yu)防(fang)电(dian)(dian)(dian)芯(xin)电(dian)(dian)(dian)压底于预(yu)(yu)设值(zhi)的(de)能(neng)力。
锂(li)电(dian)(dian)(dian)池保(bao)护(hu)板(ban)原理作(zuo)为锂(li)电(dian)(dian)(dian)芯(xin)的安全保(bao)护(hu)器(qi)件(jian),既(ji)要(yao)在(zai)设备的正常(chang)工作(zuo)电(dian)(dian)(dian)流(liu)范围内,能可靠(kao)工作(zuo),又要(yao)在(zai)当电(dian)(dian)(dian)池被(bei)意外(wai)短(duan)路或过流(liu)时(shi)能迅速动作(zuo),使电(dian)(dian)(dian)芯(xin)得到保(bao)护(hu)。
定义:当充电电流为500mA时(shi),MOS管的导通阻抗(kang)。
由于通(tong)讯(xun)(xun)设备的(de)(de)工作(zuo)频(pin)率较高,数据(ju)传输要求误码率低,其脉冲(chong)串的(de)(de)上升及下降沿陡,故(gu)对(dui)锂电(dian)池(chi)保(bao)(bao)护板原理电(dian)池(chi)的(de)(de)电(dian)流输出能力(li)和电(dian)压稳定度要求高,因(yin)此保(bao)(bao)护板的(de)(de)MOS管(guan)开(kai)关导通(tong)时电(dian)阻要小(xiao),单节(jie)电(dian)芯保(bao)(bao)护板通(tong)常在<70mΩ,如太大会导致(zhi)通(tong)讯(xun)(xun)设备工作(zuo)不正常,如手机在通(tong)话(hua)时突(tu)然断线、电(dian)话(hua)接不通(tong)、噪声(sheng)等(deng)现象。
定义:IC工作电压为3。6V,空载(zai)状(zhuang)态下,流经保(bao)护IC的(de)工作电流,一般极小。
锂电池保(bao)护(hu)(hu)板原理(li)的自耗电流直接影(ying)响(xiang)电池的待机时间,通常规定保(bao)护(hu)(hu)板的自耗电流小于10微(wei)安。
保护板(ban)必须(xu)能(neng)通(tong)过(guo)国标规定的震动,冲击试(shi)验(yan);保护板(ban)在(zai)-40到85度能(neng)安(an)全(quan)工(gong)作,能(neng)经受±15KV的非(fei)接触ESD静电测试(shi)。
一般要求在-25℃~85℃时Control(IC)检测控制(zhi)(zhi)电(dian)(dian)芯(xin)电(dian)(dian)压与(yu)(yu)充放电(dian)(dian)回(hui)路(lu)(lu)的工(gong)作电(dian)(dian)流、电(dian)(dian)压,在一切正(zheng)常情况(kuang)下C-MOS开关管导通,使电(dian)(dian)芯(xin)与(yu)(yu)保护电(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)处于正(zheng)常工(gong)作状态,而当电(dian)(dian)芯(xin)电(dian)(dian)压或(huo)回(hui)路(lu)(lu)中的工(gong)作电(dian)(dian)流超过控制(zhi)(zhi)IC中比较电(dian)(dian)路(lu)(lu)预设值时,在15~30ms内(不同(tong)控制(zhi)(zhi)IC与(yu)(yu)C-MOS有不同(tong)的响应时间),将(jiang)CMOS关断,即关闭(bi)电(dian)(dian)芯(xin)放电(dian)(dian)或(huo)充电(dian)(dian)回(hui)路(lu)(lu),以保证使用者与(yu)(yu)电(dian)(dian)芯(xin)的安全。
在(zai)锂电池(chi)保护(hu)板原理(li)正(zheng)常的(de)情况下,Vdd为高电平(ping),Vss,VM为低电平(ping),DO、CO为高电平(ping),当Vdd,Vss,VM任何(he)一项(xiang)参数变换时(shi),DO或CO端的(de)电平(ping)将发生变化。
在通常状态下,Vdd逐渐提升至CO端由高(gao)电(dian)平 变为低电(dian)平时VDD-VSS间电(dian)压
在充电状(zhuang)态下(xia),Vdd逐渐降低(di)(di)至CO端(duan)由低(di)(di)电平 变(bian)为高电平时VDD-VSS间(jian)电压
通常状(zhuang)态下(xia),Vdd逐渐(jian)降低(di)至D O端(duan)由高(gao)电(dian)平 变为低(di)电(dian)平时VDD- VSS间电(dian)压(ya)
在过(guo)放(fang)电(dian)(dian)状态(tai)下,Vdd逐渐上升到DO端由低电(dian)(dian)平(ping) 变为(wei)高电(dian)(dian)平(ping)时(shi) VDD-VSS间(jian)电(dian)(dian)压
在(zai)通常(chang)状态下,VM逐渐升至DO由高(gao)电(dian)平 变为低(di)电(dian)平时VM-VSS间电(dian)压
在通常状(zhuang)态(tai)下,VM从OV起(qi)以(yi)(yi)1ms以(yi)(yi)上4ms以(yi)(yi)下的速度升(sheng)到 DO端由(you)高电(dian)平(ping)变为低电(dian)平(ping)时VM-VSS间电(dian)压
在(zai)通常状态下,VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升(sheng)至DO端由高(gao)电(dian)平变为低电(dian)平时VM-VSS间电(dian)压(ya)
在过放(fang)电(dian)状态(tai)下,VM以(yi)OV逐渐下降至(zhi)DO由低电(dian)平变(bian)为变(bian)为高电(dian)平时VM-VSS间电(dian)压
在通常状态下(xia),流以VDD端(duan)子的(de)电(dian)流(IDD)即(ji)为通常工作时(shi)消耗电(dian)流
在放电状态下(xia),流(liu)经(jing)VDD端(duan)子的电流(liu)(IDD)即为过(guo)流(liu)放电消耗(hao)电流(liu)
R1:基准供电电阻;与IC内部电阻构成分压电路,控制内部过充、过放电压比较器的电平翻转;一般在阻值为330Ω、470Ω比较多;当封装形式(即用标准元件的长和宽来表示元件大小,如0402封装标识此元件的长和宽分别为1.0mm和0.5mm)较大时,会用数字标识其阻值,如贴片电阻上数字标识473, 即表示其阻值为47000Ω即47KΩ(第三位数表示在前两位后面加0的位数)。
R2:过流、短路检测电阻;通过检测VM端电压控制保护板的电流 ,焊接不良、损坏会造成电池过流 、短路无保护,一般阻值为1KΩ、2KΩ较多。
R3:ID识别电阻或NTC电阻(前面有介绍)或两者都有。
总结:电阻在保护板中为黑色贴片,用万用表可测其阻值,当封装较大时其阻值会用数字表示,表示方法如上所述,当然电阻阻值一般都有偏差,每个电阻都有精度规格,如10KΩ电阻规格为+/-5%精度则其阻值为9.5KΩ -10.5KΩ范围内都为合格。
C1、C2:由于电容两端电压不能突变,起瞬间稳压和滤波作用。总结:电容在保护板中为黄色贴片,封装形式0402较多,也有少数0603封装(1.6mm长,0.8mm宽);用万用表检测其阻值一般为无穷大或MΩ级别;电容漏电会产生自耗电大,短路无自恢复现象。FUSE:普通FUSE或PTC(Positive Temperature Coefficient的缩写,意思是正温度系数);防止不安全大电流和高温放电的发生,其中PTC有自恢复功能。
总结:FUSE在锂电池保护板原理保护板中一般为白色贴片,LITTE公司提供FUSE会在FUSE上标识字符D-T,字符表示意思为FUSE能承受的额定电流,如表示D额定电流为0.25A,S为4A,T为5A等。
U1:控制IC;保护板所有功能都是IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而控制C-MOS执行开关动作来实现的。
Cout:过充控制端;通过MOS管T2栅极电压控制MOS管的开关。
Dout:过放、过流、短路控制端;通过MOS管T1栅极电压控制MOS管的开关。
VM:过流、短路保护电压检测端;通过检测VM端的电压实现电路的过流、短路保护
(U(VM)=I*R(MOSFET))
总结:IC在锂电池保护板原理保护板中一般为6个管脚的封装形式,其区别管脚的方法为:在封装体上标识黑点的附近为第1管脚,然后逆时针旋转分别为第2、3、4、5、6管脚;如封装体上无黑点标识,则正看封装体上字符左下为第1管脚,其余管脚逆时针类推)C-MOS:场效应开关管;保护功能的实现者 ;连焊、虚焊、假焊、击穿时会造成电池无保护、无显示、输出电压低等不良现象。
总结:CMOS在保护板中一般为8个管脚的封装形式,它时由两个MOS管构成,相当于两个开关,分别控制锂电池保护板原理过充保护和过放、过流、短路保护;其管脚区分方法和IC一样。
在锂电(dian)(dian)(dian)(dian)池保护板(ban)原理保护板(ban)正(zheng)常(chang)情况下,Vdd为高电(dian)(dian)(dian)(dian)平,Vss、VM为低(di)电(dian)(dian)(dian)(dian)平,Dout、Cout为高电(dian)(dian)(dian)(dian)平;当Vdd、Vss、VM任何一项参数(shu)变换时(shi),Dout或Cout的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)平将发生变化,此时(shi)MOSFET执(zhi)行相应的(de)动作(开、关电(dian)(dian)(dian)(dian)路),从(cong)而实现电(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)保护和恢复功能(neng)。
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