什么是MOSFET？
信息(xi)来源：本站 日(ri)期：2017-03-31
MOSFET：全称(cheng)是“”（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor）
为减(jian)损(sun)续(xu)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)在寄生(sheng)(sheng)二(er)极管上萌(meng)生(sheng)(sheng)的(de)伤(shang)耗(hao)，在一(yi)点应用中运(yun)用 MOSFET 作为逆变(bian)元(yuan)件。因为 MOFSET 具备导(dao)通(tong)阻(zu)抗低(di)、电(dian)(dian)流(liu)(liu)可以(yi)双向流(liu)(liu)动的(de)独特的(de)地方，在 M1 关断，进入(ru)了续(xu)流(liu)(liu)阶段时(shi)(shi)，疏导(dao) M 2，使(shi)续(xu)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)经 M2，因为 MOSFET 的(de)导(dao)通(tong)阻(zu)抗极低(di)，伤(shang)耗(hao)细小，例如当续(xu)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)为 10A， MOSFET 导(dao)通(tong)电(dian)(dian)阻(zu) 10mΩ，二(er)极管 D2 压(ya)降 0.7v 时(shi)(shi)，若(ruo)续(xu)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)经 D2 时(shi)(shi)萌(meng)生(sheng)(sheng)伤(shang)耗(hao)为 7W， 而流(liu)(liu)经MOSFET 时(shi)(shi)萌(meng)生(sheng)(sheng)伤(shang)耗(hao)仅为 1W，因为这个运(yun)用这种(zhong)扼制(zhi)形式可以(yi)减(jian)损(sun)伤(shang)耗(hao)，增(zeng)长逆变(bian)器(qi)的(de)效率(lv)，在续(xu)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)大的(de)事情状况下(xia)效果更(geng)加(jia)表面化。这种(zhong)扼制(zhi)形式亦(yi)称为同步(bu)整流(liu)(liu)。
MOSFET管是(shi)FET的(de)(de)一(yi)种(另一(yi)种是(shi)JFET)，可以(yi)被制导致加(jia)(jia)强型或(huo)耗(hao)尽型，P沟(gou)(gou)道(dao)或(huo)N沟(gou)(gou)道(dao)共(gong)4品类型，但实际(ji)应(ying)用的(de)(de)只有(you)加(jia)(jia)强型的(de)(de)N沟(gou)(gou)道(dao)MOS管和(he)加(jia)(jia)强型的(de)(de)P沟(gou)(gou)道(dao)MOS管，所(suo)以(yi)一(yi)般(ban)提到NMOS，还是(shi)PMOS指的(de)(de)就是(shi)这两种。
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