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Si MOSFET管因(yin)为(wei)其输入阻抗(kang)高(gao)(gao)(gao)(gao)，随(sui)着其反向耐压(ya)的(de)提高(gao)(gao)(gao)(gao)，通(tong)态电阻也(ye)急剧上(shang)升，从而限制(zhi)了其在高(gao)(gao)(gao)(gao)压(ya)场(chang)合的(de)应(ying)(ying)用。SiC作(zuo)为(wei)一种宽禁代半(ban)导(dao)体(ti)器件，具有饱和电子漂移速度高(gao)(gao)(gao)(gao)、电场(chang)击穿(chuan)强度高(gao)(gao)(gao)(gao)、介(jie)电常数低和热导(dao)率(lv)高(gao)(gao)(gao)(gao)等特性。KIA生产的(de)SiC MOSFET管具有阻断电压(ya)高(gao)(gao)(gao)(gao)、工作(zuo)频(pin)(pin)率(lv)高(gao)(gao)(gao)(gao)且耐高(gao)(gao)(gao)(gao)温能力(li)强，同时又(you)具有通(tong)态电阻低和开关(guan)损(sun)耗小等特点，是(shi)高(gao)(gao)(gao)(gao)频(pin)(pin)高(gao)(gao)(gao)(gao)压(ya)场(chang)合功率(lv)密度提高(gao)(gao)(gao)(gao)和效率(lv)提高(gao)(gao)(gao)(gao)的(de)应(ying)(ying)用趋势(shi)。

SiC与Si性能(neng)对比(bi)

简(jian)单来说，SiC主要在以下3个方面(mian)具有明显的(de)优势为(wei):击穿电压强度高(10倍(bei)于(yu)Si)，更宽的(de)能带隙(3倍(bei)于(yu)Si)，热导率高(3倍(bei)于(yu)Si)，这(zhei)些特性(xing)使(shi)得SiC器件更适合应用在高功率密(mi)度、高开关(guan)频率的(de)场合。

SiC MOSFET性(xing)能明显(xian)优于Si MOSFET

1.极(ji)其低的导通(tong)电阻RDS(ON)，导致(zhi)了极(ji)其优越(yue)的正向压降和导通(tong)损耗，更能适应高温环境下(xia)工作。

2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的(de)输入特(te)性，即(ji)相当低的(de)栅极电荷，导致性能卓(zhuo)越的(de)切换(huan)速(su)率。

3. 宽(kuan)禁(jin)带宽(kuan)度材料，具(ju)有相当低的漏电流，更(geng)能适应高电压(ya)的环境应用。

SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中(zhong)应用对比

现代工业对电力电子设(she)备(bei)提出(chu)了许(xu)多新的(de)(de)要(yao)求(qiu)，要(yao)求(qiu)体积小、功率大(da)、发热量(liang)小、设(she)备(bei)轻便(bian)等。面对这些新要(yao)求(qiu)，Si MOSFET一筹(chou)莫展(zhan)，而SiC MOSFET 就开始大(da)显身(shen)手(shou)了。通过对SiC MOSFET管与Si MOSFET管相关电气参数进(jin)行比(bi)较(jiao)，我(wo)们可(ke)以肯定SiC MOSFET将成(cheng)为高压高频场合中(zhong)应用的(de)(de)主流(liu)器件，可(ke)谓应用SiC MOSFET者得天下。

图1：SiC MOSFET与Si MOSFET在设(she)备中应用的对比图

低电(dian)(dian)阻特(te)性(xing)，SiC具(ju)有低电(dian)(dian)阻特(te)性(xing)，在同(tong)等电(dian)(dian)压(ya)和电(dian)(dian)流等级(ji)的(de)(de)MOSFET中，SiC MOSFET 的(de)(de)内阻要几倍小于(yu)Si MOSFET 的(de)(de)内阻，且SiC的(de)(de)模块体积小型化，有利于(yu)增加系统功率密(mi)度(du)。 

高速工(gong)作(zuo)特性，SiC MOSFET相对于Si MOSFET具(ju)有更高频率(lv)的工(gong)作(zuo)特性，使系(xi)统(tong)中的电容电感器(qi)件体(ti)积小(xiao)型化(hua)，减小(xiao)系(xi)统(tong)整体(ti)体(ti)积，同时也降低了生产加工(gong)成本。

高(gao)温工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用(yong)于(yu)高(gao)温工作环境，原因(yin)在于(yu)一(yi)(yi)方面(mian)SiC MOSFET 自身损耗小，发热量小，自身温升相对(dui)较小，另(ling)一(yi)(yi)方面(mian)，热导率(lv)高(gao)3倍于(yu)Si MOSFET。

图2：SiC与 Si性(xing)价(jia)比(bi)对照图

有了以上特性(xing)对比结果，我们可(ke)以清楚的认(ren)识到SiC

MOSFET 性能(neng)全(quan)面优(you)于Si MOSFET。虽(sui)然单(dan)个SiC MOSFET价格(ge)高(gao)于Si MOSFET，

但是应用(yong)(yong)了SiC MOSFET 的系(xi)统设备整体价格(ge)低于应用(yong)(yong)Si

MOSFET的设(she)备，原因在于SiC MOSFET各项(xiang)优秀性能使得设(she)备中(zhong)的电容(rong)容(rong)值减(jian)小(xiao)、电感降低、散(san)热片面积和体(ti)积减(jian)少以(yi)及设(she)备整(zheng)体(ti)体(ti)积和成本(ben)明显减(jian)小(xiao)。

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