MOS管(guan)，即(ji)在(zai)集成电(dian)路中绝缘性场(chang)效应管(guan)。MOS英(ying)文全称(cheng)为Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管(guan)，即(ji)在(zai)集成电(dian)路中绝缘性场(chang)效应管(guan)。MOS英(ying)文全称(cheng)为Metal-Oxide-Semiconductor即(ji)金属-氧(yang)化物-半导体，确切的说，这个名字描写(xie)了集成电(dian)路中MOS管(guan)的构造，即(ji)：在(zai)一...
MOS管(guan)功(gong)放(fang)具有(you)鼓励功(gong)率小，输出(chu)(chu)功(gong)率大，输出(chu)(chu)漏(lou)极(ji)电(dian)流具有(you)负温度系(xi)数(shu)，安全可(ke)靠(kao)...MOS管(guan)功(gong)放(fang)具有(you)鼓励功(gong)率小，输出(chu)(chu)功(gong)率大，输出(chu)(chu)漏(lou)极(ji)电(dian)流具有(you)负温度系(xi)数(shu)，安全可(ke)靠(kao)，且有(you)工作频率高，偏置简略(lve)等长处。 MOS管(guan)主驱动电(dian)路的输出(chu)(chu)端与MOS管(guan)的栅极(ji)电(dian)衔(xian)接，...
N沟MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)金属-氧(yang)化物-半导体(ti)(ti)(Metal-Oxide-SemIConductor)构(gou)造(zao)的晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)简(jian)...N沟MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)金属-氧(yang)化物-半导体(ti)(ti)(Metal-Oxide-SemIConductor)构(gou)造(zao)的晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)简(jian)称(cheng)(cheng)MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)，有(you)P型MOS管(guan)(guan)(guan)和N型MOS管(guan)(guan)(guan)之(zhi)分。MOS管(guan)(guan)(guan)构(gou)成的集成电路称(cheng)(cheng)为MOS集成电路，而(er)P...
MOS又分(fen)为兩种，一(yi)种为耗尽型（DepletionMOS），另一(yi)种为增(zeng)强型（EnhancementM...MOS又分(fen)为兩种，一(yi)种为耗尽型（DepletionMOS），另一(yi)种为增(zeng)强型（EnhancementMOS）。这兩种型态的(de)(de)(de)构造没(mei)有太大的(de)(de)(de)差異，仅仅耗尽型MOS一(yi)开始在Drain-Source的(de)(de)(de)通道(dao)上(shang)...
MOS管最(zui)显著(zhu)的(de)特性是开(kai)(kai)关(guan)特性好(hao)，所以被广泛应用在(zai)需要电子开(kai)(kai)关(guan)的(de)电路中，常(chang)见(jian)...MOS管最(zui)显著(zhu)的(de)特性是开(kai)(kai)关(guan)特性好(hao)，所以被广泛应用在(zai)需要电子开(kai)(kai)关(guan)的(de)电路中，常(chang)见(jian)的(de)如开(kai)(kai)关(guan)电源和马达驱动，也(ye)有照明调(diao)光。
MOS管(guan)是金属(shu)(shu)（metal）-氧化物（oxid）-半(ban)(ban)导体（semiconductor）场效应晶(jing)体管(guan)...MOS管(guan)是金属(shu)(shu)（metal）-氧化物（oxid）-半(ban)(ban)导体（semiconductor）场效应晶(jing)体管(guan)，或(huo)者称是金属(shu)(shu)-绝(jue)缘体（insulator）-半(ban)(ban)导体。MOS管(guan)的source和drain是可以(yi)对调的，他...
