MOS管(guan)大功率驱(qu)动(dong)电源

信息(xi)来源：本站　日期(qi)：2017-04-26　

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MOS管大功率(lv)驱(qu)动电源

MOS管功率放具有鼓(gu)励功率小，输(shu)出功率大，输(shu)出漏(lou)极电(dian)流具有负温度系数，安全(quan)可靠，且有工(gong)作(zuo)频率高，偏置(zhi)简略等长处。

mos管作用(yong)：

MOS管主驱动电路的(de)(de)(de)输(shu)出端与MOS管的(de)(de)(de)栅极电衔接(jie)，输(shu)入端接(jie)单片机(ji)脉宽调(diao)制输(shu)入信号。以运(yun)放的(de)(de)(de)输(shu)出作为(wei)OCL的(de)(de)(de)输(shu)入，到达克制零点漂移的(de)(de)(de)作用。

mos管(guan)电路(lu)：

MOS管(guan)驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)，驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)包(bao)含MOS管(guan)主(zhu)驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)和欠压维(wei)护(hu)电(dian)(dian)路(lu)。欠压维(wei)护(hu)电(dian)(dian)路(lu)衔接在MOS管(guan)主(zhu)驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)的输入端，包(bao)含对比器、电(dian)(dian)阻(zu)R1、R2和稳压二极管D2；电(dian)阻R2和对比器的输入端并联(lian)(lian)再与电(dian)阻R1串联(lian)(lian)在MOS管(guan)(guan)主驱动电(dian)路(lu)的驱动电(dian)源和电(dian)源地之间(jian)；对比器的输出端串联(lian)(lian)稳压二极管(guan)(guan)D2。

本(ben)实用新(xin)型的欠(qian)压(ya)维护电(dian)路将驱动电(dian)源电(dian)压(ya)经(jing)电(dian)阻分压(ya)后的电(dian)压(ya)与设定的基准(zhun)电(dian)压(ya)对比，假如(ru)低(di)于基准(zhun)电(dian)压(ya)，欠(qian)压(ya)维护驱动电(dian)路当即堵截MOS管驱动(dong)电(dian)路(lu)，有用避免MOS管进入线性区所(suo)形(xing)成的功率器材功率低(di)及易(yi)损(sun)坏(huai)等(deng)不良后(hou)果。

mos开关(guan)管(guan)：

开关损耗(hao)与功(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)cgd和cgs以(yi)及芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)驱动能(neng)力和工(gong)作(zuo)(zuo)频率(lv)(lv)有(you)(you)关，所以(yi)要解决(jue)功(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)发烧可(ke)以(yi)从以(yi)下几个(ge)方面解决(jue)：A、不能(neng)片(pian)面根据导通电(dian)(dian)(dian)阻(zu)大小(xiao)来选择(ze)MOS功(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)管(guan)，由于(yu)内(nei)阻(zu)越小(xiao)，cgs和cgd电(dian)(dian)(dian)容越大。如1N60的(de)(de)(de)(de)(de)cgs为250pF左右(you)，2N60的(de)(de)(de)(de)(de)cgs为350pF左右(you)，5N60的(de)(de)(de)(de)(de)cgs为1200pF左右(you)，差别太大了，选择(ze)功(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)管(guan)时(shi)，够(gou)用就(jiu)可(ke)以(yi)了。对于(yu)前(qian)者，留意不要将负载电(dian)(dian)(dian)压(ya)设(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)太高，固然(ran)负载电(dian)(dian)(dian)压(ya)高，效率(lv)(lv)会(hui)高点。如果芯(xin)片(pian)消耗(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流为2mA，300V的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)加在(zai)芯(xin)片(pian)上面，芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)(gong)耗(hao)为0.6W，当然(ran)会(hui)引起芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)发烧。有(you)(you)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)程师没有(you)(you)留意到(dao)这个(ge)现象，直接调节sense电(dian)(dian)(dian)阻(zu)或者工(gong)作(zuo)(zuo)频率(lv)(lv)达(da)到(dao)需要的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流，这样做可(ke)能(neng)会(hui)严峻(jun)影响LED的(de)(de)(de)(de)(de)使用寿命(ming)。在(zai)均(jun)匀(yun)电(dian)(dian)(dian)流不变(bian)的(de)(de)(de)(de)(de)条件下，只能(neng)看(kan)着光衰(shuai)了。不管(guan)如何降频没有(you)(you)好处(chu)，只有(you)(you)坏处(chu)，所以(yi)一定要解决(jue)。

mos管电路特(te)征(zheng)：

1，用低(di)端(duan)电(dian)压和(he)PWM驱(qu)动高(gao)端(duan)MOS管。

2，用小幅(fu)度的(de)PWM信号驱动(dong)高(gao)gate电压(ya)需要的(de)MOS管。

3，gate电压的(de)峰值(zhi)束缚

4，输(shu)入和(he)输(shu)出(chu)的电流(liu)束(shu)缚

5，通过运(yun)用适合(he)的电阻(zu)，可(ke)以抵(di)达很(hen)低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并(bing)不需(xu)要这个特性，可以(yi)通过前置(zhi)一个反相器来处(chu)理。

mos管参数:

ards---漏源电阻温度系(xi)数

aID---漏极电(dian)流温度(du)系数

Vn---噪声电压

η---漏极效(xiao)率（射(she)频功(gong)率管）

Zo---驱动源(yuan)内阻

VGu---栅衬(chen)底电(dian)压（直流）

VDu---漏(lou)衬(chen)底电压(ya)（直(zhi)流）

Vsu---源衬底电压（直(zhi)流）

VGD---栅漏电压（直(zhi)流）

VDS(sat)---漏源饱(bao)满电(dian)压

VDS(on)---漏源(yuan)通态(tai)电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极（直(zhi)流(liu)）电源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流(liu)）电(dian)源电(dian)压（外电(dian)路参数）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路(lu)参数）

VGSR---反向(xiang)栅源电压（直流）

VGSF--正向(xiang)栅源电压（直流）

Tstg---贮成温度(du)

Tc---管壳(qiao)温度

Ta---环境(jing)温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温

PPK---脉(mai)冲功(gong)率峰值（外电路参数）

POUT---输出功(gong)率

PIN--输(shu)入功率

PDM---漏极最大(da)容许耗散功率

PD---漏(lou)极耗散功率(lv)

R(th)ja---结环热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负载电阻（外(wai)电路参数）

Rg---栅(zha)极外接电阻（外电路(lu)参数(shu)）

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏(lou)电阻

rDS(of)---漏(lou)源(yuan)断态(tai)电阻

rDS(on)---漏源通(tong)态电阻

rDS---漏(lou)源电阻

Ls---源(yuan)极电感

LD---漏极电感

L---负载电(dian)感（外电(dian)路(lu)参(can)数）

Ku---传(chuan)输系数

K---失(shi)调电(dian)压温度系数

gds---漏源电(dian)导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和高频功率增(zeng)益

GpG---共(gong)栅极中和高频功率(lv)增(zeng)益

Gps---共源(yuan)极中和高频功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨导

Ipr---电(dian)流脉冲峰值（外电(dian)路参数）

Iu---衬底电流

IDSS2---对管第(di)二管漏(lou)源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏(lou)源(yuan)饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅(zha)电(dian)流

IF---二极管正向电流

IGP---栅极峰(feng)值电流

IGM---栅极脉冲(chong)电流

IGSO---漏极开(kai)路时，截止栅电流

IGDO---源极开(kai)路时，截止栅电流

IGR---反向栅电流(liu)

IGF---正(zheng)向栅(zha)电流

IG---栅极(ji)电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满电(dian)(dian)流(liu)（漏源饱满电(dian)(dian)流(liu)）

IDSS---栅-源短路(lu)时，漏极电流

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏源电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

ID(on)---通态漏(lou)极电流(liu)

dv/dt---电(dian)压上升率（外电(dian)路参数(shu)）

di/dt---电流上(shang)升率（外电路参数）

Eas:单次(ci)脉冲雪(xue)崩(beng)击穿能量

Ear:重复雪崩击(ji)穿(chuan)能(neng)量

Iar:雪崩电流(liu)

Ton:正导游通时刻(ke).(根本能够忽略不计(ji)).

Qrr :反向恢复充(chong)电(dian)电(dian)量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游(you)通压降.

ISM:脉冲最大续流(liu)电流(liu)(从源(yuan)极).

IS :接连最(zui)大续流(liu)电流(liu)(从源极).

EAR:重(zhong)复雪崩击穿(chuan)能量.

IAR :雪崩(beng)电(dian)流.

EAS :单次(ci)脉冲雪崩击穿(chuan)能(neng)量.这是个极(ji)限参(can)数,阐明 MOSFET 所能(neng)接受的最大雪崩击穿(chuan)能(neng)量.

mos管器(qi)件检(jian)测：

1、把连接栅极(ji)和源极(ji)的电阻移开，万用(yong)表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢(man)(man)慢(man)(man)逐步退回(hui)到高(gao)阻或(huo)无限(xian)大，则MOS管漏电，不变则完好(hao)

2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来(lai)，假(jia)如指针立刻(ke)返回(hui)无(wu)限(xian)大，则MOS完好。

3、把红(hong)笔(bi)接(jie)到MOS的(de)源极S上，黑(hei)笔(bi)接(jie)到MOS管的(de)漏极上，好的(de)表针指示(shi)应该是无限大。

4、用一只(zhi)100KΩ－200KΩ的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻连在栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)上(shang)，然后把红笔接(jie)(jie)到MOS的(de)(de)(de)源极(ji)(ji)S上(shang)，黑笔接(jie)(jie)到MOS管(guan)的(de)(de)(de)漏极(ji)(ji)上(shang)，这时(shi)表(biao)针指示(shi)的(de)(de)(de)值一般是0，这时(shi)是下电(dian)(dian)荷通过这个电(dian)(dian)阻对MOS管(guan)的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)充电(dian)(dian)，产生(sheng)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)电(dian)(dian)场，因为(wei)电(dian)(dian)场产生(sheng)导致导电(dian)(dian)沟道致使漏极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)导通，故万用表(biao)指针偏转，偏转的(de)(de)(de)角度大，放电(dian)(dian)性越好。

相(xiang)关内容(rong)：
大功率(lv)mos管(guan)驱动电路