MOSFET的(de)(de)(de)(de)封(feng)(feng)装(zhuang)形(xing)式(shi)技(ji)术也(ye)直(zhi)接影响到芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能和(he)品质，对同(tong)样的(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)以不(bu)同(tong)形(xing)式(shi)的(de)(de)(de)(de)...MOSFET的(de)(de)(de)(de)封(feng)(feng)装(zhuang)形(xing)式(shi)技(ji)术也(ye)直(zhi)接影响到芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能和(he)品质，对同(tong)样的(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)以不(bu)同(tong)形(xing)式(shi)的(de)(de)(de)(de)封(feng)(feng)装(zhuang)，也(ye)能提高(gao)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能。所(suo)以芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)封(feng)(feng)装(zhuang)技(ji)术是非常重要的(de)(de)(de)(de)。以安装(zhuang)在PCB的(de)(de)(de)(de)方式(shi)区...
在一(yi)般(ban)(ban)分(fen)布(bu)式MOSFET元件（discrete device）中，通常(chang)把基极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)接在一(yi)起，故...在一(yi)般(ban)(ban)分(fen)布(bu)式MOSFET元件（discrete device）中，通常(chang)把基极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)接在一(yi)起，故分(fen)布(bu)式MOSFET通常(chang)为三端(duan)元件。而在集成电路中的MOSFET通常(chang)因为使用同一(yi)个基极(ji)(ji)（comm...
双极型晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)把输(shu)(shu)入端(duan)电(dian)流(liu)的(de)(de)微(wei)小变(bian)化(hua)放大(da)后，在(zai)输(shu)(shu)出(chu)端(duan)输(shu)(shu)出(chu)一个(ge)大(da)的(de)(de)电(dian)流(liu)变(bian)化(hua)。双...双极型晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)把输(shu)(shu)入端(duan)电(dian)流(liu)的(de)(de)微(wei)小变(bian)化(hua)放大(da)后，在(zai)输(shu)(shu)出(chu)端(duan)输(shu)(shu)出(chu)一个(ge)大(da)的(de)(de)电(dian)流(liu)变(bian)化(hua)。双极型晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)增益就(jiu)定义(yi)为输(shu)(shu)出(chu)输(shu)(shu)入电(dian)流(liu)之比(bi)（beta）。另(ling)一种晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)，叫做场效应管(guan)(guan)(guan)（...
MOS驱动(dong)(dong)器(qi)主要起(qi)波(bo)形(xing)整(zheng)形(xing)和加强驱动(dong)(dong)的(de)作(zuo)用:如果MOS管(guan)的(de)G信号波(bo)形(xing)不(bu)(bu)够(gou)陡(dou)峭(qiao)，在(zai)点...MOS驱动(dong)(dong)器(qi)主要起(qi)波(bo)形(xing)整(zheng)形(xing)和加强驱动(dong)(dong)的(de)作(zuo)用:如果MOS管(guan)的(de)G信号波(bo)形(xing)不(bu)(bu)够(gou)陡(dou)峭(qiao)，在(zai)点评(ping)切换(huan)阶段(duan)会造成(cheng)大(da)量电(dian)能损耗其副作(zuo)用是(shi)降低(di)电(dian)路转换(huan)效率，MOS管(guan)发热严重，易热损...
现(xian)有(you)的很多小信号放大(da)(da)电(dian)路都是由晶体(ti)管或MOS管的放大(da)(da)电(dian)路构成(cheng)，其(qi)功率有(you)限，不(bu)...现(xian)有(you)的很多小信号放大(da)(da)电(dian)路都是由晶体(ti)管或MOS管的放大(da)(da)电(dian)路构成(cheng)，其(qi)功率有(you)限，不(bu)能(neng)把电(dian)路的功率做得很大(da)(da)。随着现(xian)代逆(ni)变(bian)技(ji)术的逐步成(cheng)熟，尤其(qi)是SPWM逆(ni)变(bian)技(ji)术，使信号...
MOS管是(shi)金属(shu)(Metal)—氧化(hua)物(Oxid)—半(ban)(ban)导体(Semiconductor)场(chang)效应(ying)晶体管。市面...MOS管是(shi)金属(shu)(Metal)—氧化(hua)物(Oxid)—半(ban)(ban)导体(Semiconductor)场(chang)效应(ying)晶体管。市面上常有(you)的(de)一般为N沟(gou)道和P沟(gou)道。N沟(gou)道的(de)电(dian)源一般接在D，输出S，P沟(gou)道的(de)电(dian)源一般接在S，...
