mos管G、S、D、分别代表(biao)是(shi)什么
信息来源(yuan)：本站 日期：2017-04-21
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效(xiao)应晶体管。市面上常有的(de)一(yi)般(ban)为N沟道(dao)和P沟道(dao)。N沟道(dao)的(de)电(dian)源(yuan)一(yi)般(ban)接(jie)在(zai)D，输出S，P沟道(dao)的(de)电(dian)源(yuan)一(yi)般(ban)接(jie)在(zai)S，输出D。
MOS管的(de)(de)栅极(ji)G和源极(ji)S之(zhi)间是绝(jue)缘的(de)(de)，由于Sio2绝(jue)缘层(ceng)的(de)(de)存在，在栅极(ji)G和源极(ji)S之(zhi)间等效是一个电(dian)(dian)容存在，电(dian)(dian)压(ya)VGS产生电(dian)(dian)场从(cong)而导致源极(ji)-漏极(ji)电(dian)(dian)流的(de)(de)产生。此时的(de)(de)栅极(ji)电(dian)(dian)压(ya)VGS决定(ding)了漏极(ji)电(dian)(dian)流的(de)(de)大(da)小(xiao)，控制栅极(ji)电(dian)(dian)压(ya)VGS的(de)(de)大(da)小(xiao)就可以(yi)控制漏极(ji)电(dian)(dian)流ID的(de)(de)大(da)小(xiao)。这就可以(yi)得出如下结论：
1） MOS管是(shi)(shi)一个由改(gai)变(bian)电压来(lai)控制电流的器(qi)件，所以是(shi)(shi)电压器(qi)件。
2） MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
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