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MOS管(guan)电路符号图文

信息来源：本站　日期：2017-04-24　

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MOS管(guan)是(shi)(shi)金属(metal)—氧(yang)化物(oxid)—半导(dao)体(ti)(semiconductor)场效(xiao)应晶体(ti)管(guan)，或者称是(shi)(shi)金属—绝缘体(ti)(insulator)—半导(dao)体(ti)。MOS管(guan)的source和drain是(shi)(shi)可以(yi)对调的，他(ta)们(men)都是(shi)(shi)在(zai)P型backgate中形成的N型区。在(zai)多数情况下，这(zhei)个两(liang)个区是(shi)(shi)一样的，即使(shi)两(liang)端对调也不会影响器件的性(xing)能。这(zhei)样的器件被认为(wei)是(shi)(shi)对称的。

MOS管的使(shi)用优势

MOS管是电(dian)(dian)压(ya)控制(zhi)元件，而晶体管是电(dian)(dian)流(liu)控制(zhi)元件。在只允许从信(xin)号源(yuan)取较(jiao)少电(dian)(dian)流(liu)的情况(kuang)下，应(ying)选用MOS管；而在信(xin)号电(dian)(dian)压(ya)较(jiao)低，又允许从信(xin)号源(yuan)取较(jiao)多电(dian)(dian)流(liu)的条(tiao)件下，应(ying)选用晶体管。

MOS管(guan)是利用多数(shu)载(zai)流子(zi)(zi)导电(dian)，所以(yi)称之为单极(ji)型(xing)器件，而晶(jing)体(ti)管(guan)是即有多数(shu)载(zai)流子(zi)(zi)，也(ye)利用少(shao)数(shu)载(zai)流子(zi)(zi)导电(dian)，被称之为双(shuang)极(ji)型(xing)器件。有些MOS管(guan)的源(yuan)极(ji)和(he)漏极(ji)可(ke)(ke)(ke)以(yi)互换使用，栅压也(ye)可(ke)(ke)(ke)正可(ke)(ke)(ke)负，灵活性比晶(jing)体(ti)管(guan)好(hao)。MOS管(guan)能(neng)在很小电(dian)流和(he)很低电(dian)压的条件下工作，而且它的制造工艺(yi)可(ke)(ke)(ke)以(yi)很方便地把(ba)很多MOS管(guan)集成在一块硅片上，因此(ci)MOS管(guan)在大规(gui)模集成电(dian)路中得到了广泛的应(ying)用。

电路符号

常用于MOSFET的(de)(de)电路(lu)符(fu)号有很多种变化，最常见(jian)的(de)(de)设计是以一条直线(xian)代(dai)表通道，两条和通道垂(chui)直的(de)(de)线(xian)代(dai)表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的(de)(de)线(xian)代(dai)表栅极，如下图所示。有时也会将(jiang)代(dai)表通道的(de)(de)直线(xian)以破折线(xian)代(dai)替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或(huo)是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

由于集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)(lu)芯片上(shang)的MOSFET为四端元(yuan)(yuan)(yuan)件，所以除了(le)栅(zha)极(ji)、源(yuan)极(ji)、漏(lou)极(ji)外(wai)，尚有一(yi)基(ji)(ji)极(ji)（Bulk或是(shi)Body）。MOSFET电(dian)(dian)路(lu)(lu)符(fu)号中，从(cong)(cong)通(tong)道(dao)往右(you)延伸的箭(jian)号方向(xiang)则可表示此元(yuan)(yuan)(yuan)件为N型(xing)(xing)(xing)或是(shi)P型(xing)(xing)(xing)的MOSFET。箭(jian)头(tou)方向(xiang)永远从(cong)(cong)P端指(zhi)向(xiang)N端，所以箭(jian)头(tou)从(cong)(cong)通(tong)道(dao)指(zhi)向(xiang)基(ji)(ji)极(ji)端的为P型(xing)(xing)(xing)的MOSFET，或简称PMOS（代表此元(yuan)(yuan)(yuan)件的通(tong)道(dao)为P型(xing)(xing)(xing)）；反之若(ruo)箭(jian)头(tou)从(cong)(cong)基(ji)(ji)极(ji)指(zhi)向(xiang)通(tong)道(dao)，则代表基(ji)(ji)极(ji)为P型(xing)(xing)(xing)，而(er)通(tong)道(dao)为N型(xing)(xing)(xing)，此元(yuan)(yuan)(yuan)件为N型(xing)(xing)(xing)的MOSFET，简称NMOS。在一(yi)般(ban)分(fen)布式MOSFET元(yuan)(yuan)(yuan)件（discrete device）中，通(tong)常把(ba)基(ji)(ji)极(ji)和源(yuan)极(ji)接在一(yi)起，故分(fen)布式MOSFET通(tong)常为三(san)端元(yuan)(yuan)(yuan)件。而(er)在集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)(lu)中的MOSFET通(tong)常因(yin)为使(shi)用同一(yi)个(ge)基(ji)(ji)极(ji)（common bulk），所以不标示出基(ji)(ji)极(ji)的极(ji)性，而(er)在PMOS的栅(zha)极(ji)端多(duo)加一(yi)个(ge)圆圈以示区别(bie)。