KIA2300可替代SI2300 MOS管(guan)规格书下载-MOS管(guan)原厂自(zi)主研发-KIA MOS管(guan)
信息(xi)来源：本站 日期：2019-04-28
MOS管(guan)(guan)(guan)KIA2300可替代(dai)SI2300，KIA半导(dao)体(ti)主营半导(dao)体(ti)产品丰富，是一(yi)家(jia)(jia)国(guo)产MOS管(guan)(guan)(guan)厂家(jia)(jia)。专业(ye)从事中、大、功率场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(MOSFET)、超结场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)、碳(tan)化(hua)硅二极管(guan)(guan)(guan)、碳(tan)化(hua)硅场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)、快(kuai)速恢(hui)复二极管(guan)(guan)(guan)、三端稳压(ya)管(guan)(guan)(guan)开发设计，集(ji)研发、生产和销售为一(yi)体(ti)的国(guo)家(jia)(jia)高新技术企业(ye)。
下文将会着重介(jie)绍KIA2300和SI2300两个MOS管型(xing)号(hao)的(de)封装、参数及附带规格书(shu)。
VDS =20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A
VDS =20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A
VDS =20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A
产品型号：KIA2300
工(gong)作方(fang)式：6.0A/20V
漏源(yuan)电压(ya)：20V
栅源电压：±10A
漏电流(liu)连续(xu)：6.0A
脉冲漏极(ji)电流：20A
耗散(san)功(gong)率：1.25W
热电阻：100℃/V
漏(lou)源击穿电压：20V
栅极阈值电压：0.5V
输入电容：888PF
输出电容：144PF
上(shang)升(sheng)时(shi)间：14.5ns
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