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MOS管(guan)原厂KIA品牌 KIA50N06B可(ke)替代FQP50N06规(gui)格书-KIA MOS管(guan)

信息来源:本站 日(ri)期:2019-04-29 

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KIA MOS管品牌介绍

MOS管(guan)KIA50N06B可替代FQP50N06,了解一下(xia)KIA半导体公司(si)(si),深(shen)圳(zhen)市利盈娱乐半导体科技有限公司(si)(si).是(shi)一家(jia)专(zhuan)业从(cong)事中(zhong)、大、功(gong)率场效(xiao)应(ying)管(guan)(MOSFET)、快速(su)恢复二极(ji)管(guan)、三端稳压(ya)管(guan)开发(fa)设计(ji),集研发(fa)、生产(chan)和销售为(wei)一体的国家(jia)高(gao)新技术企业。


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现已经拥(yong)有(you)了(le)独立的研(yan)发(fa)中(zhong)心,研(yan)发(fa)人员以(yi)来(lai)自韩国(台湾(wan))超一(yi)流团队,可以(yi)快速根据客户应用(yong)领(ling)域的个性来(lai)设计(ji)方案,强大的研(yan)发(fa)平(ping)台,使得KIA在工艺(yi)制造、产(chan)(chan)品(pin)设计(ji)方面拥(yong)有(you)知识产(chan)(chan)权(quan)35项,并掌握多项场效应管(guan)核(he)心制造技(ji)术。自主研(yan)发(fa)已经成为了(le)企(qi)业的核(he)心竞(jing)争力。


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KIA半(ban)导体的产(chan)品(pin)涵盖工业、新能(neng)源(yuan)、交(jiao)通运(yun)输、绿色(se)照明四大领(ling)域,不仅包括(kuo)光伏(fu)逆(ni)变及(ji)无(wu)人机、充电桩、这类新兴能(neng)源(yuan),也涉及(ji)汽(qi)车配(pei)件、LED照明等家(jia)庭用品(pin)。KIA专注于产(chan)品(pin)的精细化与革新,力求为客户提(ti)供(gong)最具行业领(ling)先、品(pin)质(zhi)上乘的科技产(chan)品(pin)。


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从设计研发到(dao)(dao)制(zhi)造再到(dao)(dao)仓储物流,KIA半导(dao)体真(zhen)正实现(xian)了(le)一体化的(de)服务链,真(zhen)正做(zuo)到(dao)(dao)了(le)服务细节(jie)全(quan)到(dao)(dao)位的(de)品牌内涵,我们致力于成为场(chang)效应管(MOSFET)功率器(qi)件领域(yu)的(de)领跑者,为了(le)这个(ge)目标,KIA半导(dao)体正在持续创新,永不(bu)止步!


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06

MOS管(guan)(guan)KIA50N06B可替代FQP50N06,下文有(you)KIA50N06B和FQP50N06两个MOS管(guan)(guan)型号的封(feng)装、参数及规格书(shu)资料详(xiang)情(qing)。


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B资料详解

(一)MOS管KIA50N06B产品特征

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、无铅绿(lv)色装(zhuang)置

3、降低(di)导电损(sun)耗

4、高雪崩电流(liu)


(二)KIA50N06B主要参数

产品型号(hao):KIA50N06B

工作方式:50A/60V

漏源极电压:60V

栅源电压:±25

脉(mai)冲漏电流:250A

雪(xue)崩电流:15A

雪崩能量:120MJ

漏源击穿(chuan)电压:60V

栅电阻:1.0Ω

输入电容:2060pF

输(shu)出(chu)电容:755pF

反向转移电(dian)容:375pF


(三)KIA50N06B封装图


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(四)MOS管KIA50N06B规格书

查(cha)看及下载规格(ge)书,请(qing)点击下图。

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MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06资料详解


(一)FQP50N06参数


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(二)FQP50N06封装图


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(三)FQP50N06规格书

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