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NCE3080K可替代什么(me)品牌(pai)MOS管(guan)(guan)型号-NCE3080K中文(wen)资料-KIA MOS管(guan)(guan)

信息来源:本站(zhan) 日期:2019-05-24 

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KNX3403A可替代NCE3080K

NCE3080和KNX3403A两个型(xing)号(hao)为低(di)压MOS管,KIA半(ban)导体是专业(ye)制造中、低(di)、高压MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K,接(jie)下来会写出NCE3080和KNX3403A两个型(xing)号(hao)的规(gui)格(ge)书、封(feng)装(zhuang)、参数等。


低压MOS管内阻特点

创新高压技术

低栅(zha)极电荷

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电(dian)流峰值


KIA半导体KNX3403A产品概述
(一)MOS管 KNX3403A 85A/30V参数

型(xing)号:KNX3403A

电流:85A

电压:30V

漏至源电压:30V

门(men)到源电压(ya):±20V

脉冲漏电(dian)流(liu)测试(shi):340A

雪崩电流:25A

雪(xue)崩能源:156MJ

接头(tou)和储存温(wen)度范围:-55℃至+175℃


(二)MOS管 KNX3403A特点

RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

无铅绿色设备

降(jiang)低导电损耗(hao)

高雪崩电流


(三)KNX3403A封装


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(四)KNX3403A规格书

查看规格书,请点击下图(tu)。


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NCE3080K产品介绍
(一)NCE3080K产品概述

VDS=30V,ID=80A

RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

超(chao)低RDSON高密度电池(chi)设计(ji)

完全(quan)特征雪崩电(dian)压(ya)和电(dian)流

良好的散热包装

高静(jing)电放电性能(neng)的特殊工(gong)艺技术


(二)NCE3080K产品应用

电(dian)源(yuan)切换应(ying)用

硬开关和高频电路(lu)

不(bu)间断电源


(三)NCE3080K产品参数详情

漏源电压:30V

栅(zha)源电压:±20V

漏电流(liu)连续:80A

脉冲(chong)漏(lou)电流:170A

最(zui)大(da)功(gong)耗:83W

漏源击穿电压:30V

输入(ru)电容:4700PF

输出电容:4700PF

反(fan)向转移电容:345PF


(四)NCE3080K封装图


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(五)MOS管 NCE3080K产品规格书

查看及下(xia)载规格书,请点击下(xia)图。


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