MOS管NCE3050封装-NCE3050规格书下载|NCE3050参数等-KIA MOS管
信(xin)息来(lai)源(yuan)：本(ben)站 日期：2019-07-03
VDS=30V,ID=50A
RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V
超低RDSON高密度(du)电池设计
稳定性好，均匀性好
良好的散(san)热包装
高(gao)静(jing)电放电性能(neng)的特殊工艺技术
1、电(dian)源切(qie)换应用
2、开关和高频电(dian)路(lu)
3、不间断(duan)电源
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