HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A规格书、封装、参数详解

HY1906规格书,HY1906参数,HY1906替代

下文将(jiang)会详细的介绍国(guo)产(chan)(chan)MOS管KNX3308A和HY1906两个产(chan)(chan)品(pin)的主要(yao)参数、封装、应用(yong)领域等产(chan)(chan)品(pin)信息。KIA半(ban)导体是一(yi)(yi)家(jia)专业从(cong)事中、大、功率(lv)场效应管(MOSFET)、快(kuai)速恢复(fu)二(er)极管、三端稳压管开发设计，集(ji)研发、生(sheng)产(chan)(chan)和销售为一(yi)(yi)体的国(guo)家(jia)高新技术(shu)企(qi)业。

从设计研(yan)发(fa)到(dao)制造再(zai)到(dao)仓储物(wu)流，KIA半导(dao)体(ti)真(zhen)正实(shi)现(xian)了一体(ti)化的(de)服(fu)务链(lian)，真(zhen)正做到(dao)了服(fu)务细节(jie)全(quan)到(dao)位的(de)品牌(pai)内涵，我们致力于(yu)成(cheng)为(wei)(wei)场效应管（MOSFET）功率器件领(ling)域的(de)领(ling)跑者，为(wei)(wei)了这个目标，KIA半导(dao)体(ti)正在(zai)持(chi)续(xu)创新，永不止步(bu)！

MOS管 KNX3308A产品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供(gong)无铅环保设备(bei)

降低(di)导电损耗的低(di)RD值(zhi)

高雪崩(beng)电流(liu)

MOS管(guan) KNX3308A应用领域

电力供(gong)应

直流变换器

MOS管 KNX3308A主要参数

型号：KNX3308A

电(dian)流：80A

电压：80V

漏源极电压:80V

栅源电压(ya):±25

脉冲漏电流：340A

雪崩电流:20A

雪(xue)崩能源:410MJ

MOS管 KNX3308A封装引脚图

KNX3308A产品规格书

查看规格书(shu)，请点击下(xia)图。

MOS管 HY1906 60V/70A产品特征

RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V

雪(xue)崩测试100%

MOS管 HY1906 60V/70A参数

型号：HY1906

参(can)数：60V/70A

漏源电(dian)压(ya)：60V

栅源(yuan)电(dian)压:±25V

源电流(liu)连(lian)续:70A

脉冲(chong)漏电(dian)流:260A

连续漏电流(liu) Tc=25℃:70A

连续漏电流(liu) Tc=100℃:49.5A

单脉冲(chong)雪崩能量286.6MJ

漏源击穿电压：60V

输入电容：4620PF

输出电容：410PF

反向传输电容(rong):360PF

MOS管 HY1906 60V/70A规格书

查看及下载规格(ge)书，请点击下图(tu)。

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