KIA50N03A替代NCE3050 50A/30V 封装齐全 规格书下载

NCE3050替代MOS管

NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市利盈娱乐(le)半导(dao)体科(ke)技(ji)有限(xian)公司.是一家专业从事中(zhong)、大、功(gong)率场效应管(MOSFET)、快(kuai)速(su)恢复二极管、三端(duan)稳压(ya)管开(kai)发设计，集研发、生产和销(xiao)售为一体的国家高新技(ji)术企业。

KIA半(ban)导体研发人员(yuan)以来自韩国(guo)(台(tai)湾)超一流团队，可(ke)以快速根据客户应用领域的(de)个性(xing)(xing)来设计方案，同(tong)时引进(jin)多(duo)台(tai)国(guo)外先进(jin)设备，业务含(han)括功率器(qi)件的(de)直流参数检测(ce)、雪崩能量检测(ce)、可(ke)靠性(xing)(xing)实验、系统分(fen)析、失效分(fen)析等(deng)领域。强大的(de)研发平台(tai)，使得(de)KIA在工艺(yi)制造(zao)、产品(pin)设计方面(mian)拥有(you)知识(shi)产权35项，并掌(zhang)握多(duo)项场效应管(guan)核心(xin)制造(zao)技术。自主研发已(yi)经成为了企业的(de)核心(xin)竞争力。

从设(she)计(ji)研(yan)发到(dao)制(zhi)造再(zai)到(dao)仓储物流，KIA半导体(ti)真正(zheng)实现(xian)了(le)一体(ti)化的(de)服(fu)务链，真正(zheng)做到(dao)了(le)服(fu)务细(xi)节(jie)全到(dao)位(wei)的(de)品(pin)牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器(qi)件领(ling)域(yu)的(de)领(ling)跑者，为了(le)这个目标，KIA半导体(ti)正(zheng)在持续创新(xin)，永不止步(bu)！

MOS管NCE3050产品特征

VDS=30V,ID=50A

RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V

超低RDSON高密度电池设计

稳定性好(hao)(hao)，均(jun)匀(yun)性好(hao)(hao)

良好的散热包装

高静电放电性(xing)能的特殊工(gong)艺技术

MOS管NCE3050产品应用领域

1、电源切换应用

2、开关和高频电路

3、不(bu)间断(duan)电源

MOS管NCE3050参数

MOS管NCE3050封装

MOS管NCE3050规格书详情

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NCE3050替代MOS管产品KIA50N03A
MOS管50N03产品特征-KIA50N03A

1、先(xian)进的(de)沟(gou)槽(cao)处理技(ji)术

2、高密(mi)度超低电(dian)阻(zu)电(dian)池(chi)的设计

3、完(wan)全(quan)确定(ding)雪崩电压和电流

4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A

5、Vds=30V

6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A

MOS管50N03产品主要参数-KIA50N03A

产品型号：KIA50N03A

工作方式：50A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

连续(xu)漏(lou)电(dian)流：50A

脉冲漏电流 ：200A

操作接头和存储温度范(fan)围:-55℃至150℃

结(jie)对壳热阻：1.8℃/W

对(dui)周(zhou)围(wei)环境(jing)的(de)电阻:50℃/W

KIA50N03A封装引脚图

KIA50N03A产品附件

以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资(zi)料，查看详情请点击下图。

联(lian)系方式：邹先(xian)生

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