KIA2803A完美替代AON6512规格书(shu)下(xia)载 封装引脚图 30V/150A-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2019-07-22
KIA2803A MOS管品牌是(shi)KIA半导(dao)体(ti)。如(ru)果(guo)您不了解(jie)KIA，我在这(zhei)里(li)简单介(jie)绍一下，您需要了解(jie)更多可以查看(kan)KIA官(guan)网或是(shi)致电KIA，我们将(jiang)竭(jie)诚为您服务(wu)！
KIA半导体是一(yi)家(jia)专(zhuan)业(ye)从(cong)事中、大(da)、功率场(chang)效应管(guan)(MOSFET)、快速(su)恢复二极管(guan)、三(san)端稳压管(guan)开发设计，集(ji)研发、生产和销(xiao)售为(wei)一(yi)体的国家(jia)高新技术企(qi)业(ye)。
拥有(you)了独(du)立的研(yan)发(fa)中心，研(yan)发(fa)人员以(yi)来自韩国(guo)(台湾)超一流(liu)团队，可(ke)以(yi)快速根(gen)据客户应用领域的个(ge)性来设计(ji)方(fang)案，同(tong)时引进多台国(guo)外先(xian)进设备，业务(wu)含括功率器(qi)件(jian)的直流(liu)参数检(jian)测(ce)、雪(xue)崩(beng)能(neng)量检(jian)测(ce)、可(ke)靠性实验、系(xi)统分析(xi)、失效分析(xi)等领域。
强大的(de)研发(fa)平台，使得KIA在工艺制(zhi)造(zao)(zao)、产品(pin)设计方(fang)面拥有知(zhi)识产权35项，并掌握多(duo)项场效(xiao)应管核心(xin)制(zhi)造(zao)(zao)技(ji)术。自主研发(fa)已(yi)经成为了企业的(de)核心(xin)竞争力。
从(cong)设计(ji)研发到(dao)制造再到(dao)仓(cang)储物流，KIA半导(dao)体(ti)真正实现了(le)一(yi)体(ti)化的(de)服(fu)务链，真正做到(dao)了(le)服(fu)务细(xi)节全(quan)到(dao)位的(de)品牌内涵，我们(men)致力(li)于成为(wei)场效应(ying)管（MOSFET）功率(lv)器件领(ling)域的(de)领(ling)跑(pao)者，为(wei)了(le)这(zhei)个目标(biao)，KIA半导(dao)体(ti)正在持续创新，永不(bu)止步！
下面我们一起来看看这两个型(xing)号的具体(ti)参(can)数、封装、电路(lu)特征等。
电流：150A
电压(ya)：30V
漏源电压：30V
栅源(yuan)电压：±20V
雪崩电(dian)流：70A
雪(xue)崩能量：123MJ
漏(lou)源(yuan)击穿电压：30V
前向传导：85S
输(shu)入(ru)电容：3430pF
输出电(dian)容：1327pF
反向转(zhuan)移电容：175pF
1、计算、服(fu)务器和POL中的DC/DC转换(huan)器
2、电信和工(gong)业(ye)中的隔离DC/DC转换器
查看及下载，请点击下图。
1、RDS（on）=2.2mΩ（类型）@VGS=10V
2、低导(dao)通(tong)电(dian)阻
3、100%雪崩(beng)试验(yan)
4、无铅、符合RoHS标准(zhun)
产品型号：KIA2803A
工作方式：150A/30V
漏源(yuan)极电压:30V
栅源电压:±20V
连(lian)续漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A
脉(mai)冲漏电流测试TC=25oC:600A
单脉冲雪崩能(neng):625MJ
最大功率(lv)消耗TC=25oC:160W
最(zui)高温度:175℃
贮存温度范围：-55℃至+175℃
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