FDD8870 MOS管产品参数 FDD8870封装引(yin)脚功能 160A/30V-KIA MOS管
信息(xi)来源:本站 日期(qi):2019-07-23
这(zhei)种N沟道(dao)MOSFET是专门(men)为提高DC/DC变换器(qi)的整(zheng)体效率同步(bu)或常规(gui)开(kai)关PWM控制器(qi)。它已经针对低(di)栅(zha)电(dian)荷、低(di)栅(zha)电(dian)荷进行了(le)优化。R-DS(开(kai))和快速切换速度。
rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A
rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A
高(gao)性能沟槽技(ji)术,极低RDS(开)
低栅电荷
高(gao)功(gong)率(lv)和电(dian)流处理能力
查看及下(xia)载规格书(shu),请点击下(xia)图。
联系方式:邹先生
联(lian)系电话(hua):0755-83888366-8022
手(shou)机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深(shen)圳(zhen)市福田区车公庙天安数(shu)码城天吉大(da)厦CD座5C1
请搜(sou)微信公众号(hao):“KIA半导(dao)体”或扫(sao)一扫(sao)下图(tu)“关注”官方微信公众号(hao)
请(qing)“关(guan)注”官方微信公(gong)众号:提供 MOS管(guan) 技(ji)术帮助