5G通讯基站保护板专用MOS管原厂优势凸显 KNX2710A 160A/100V

5G通讯基站

5G基站(zhan)是5G网络的(de)(de)(de)核心设备(bei)，基站(zhan)的(de)(de)(de)架构、形(xing)态直接影响5G网络的(de)(de)(de)部署策略。在目前的(de)(de)(de)技术(shu)标准中，5G的(de)(de)(de)频(pin)段(duan)远(yuan)高于当前的(de)(de)(de)2G和(he)3G，5G频(pin)段(duan)的(de)(de)(de)特点也决(jue)定(ding)着在达(da)到3G覆盖质量的(de)(de)(de)情况下，5G的(de)(de)(de)基站(zhan)密度将更高。

5G通讯基站逻辑架构

5G基站(zhan)(zhan)主要用于(yu)提供5G空口协议功能，支持与(yu)用户设备、核心网之间的通(tong)信。按照(zhao)逻辑功能划分(fen)，5G基站(zhan)(zhan)可(ke)分(fen)为5G基带单(dan)(dan)元与(yu)5G射频单(dan)(dan)元，二者之间可(ke)通(tong)过(guo)CPRI或eCPRI接(jie)(jie)口连接(jie)(jie)。

5G基带单元负责NR基带协议处(chu)理(li)，包括整个用(yong)户面（UP）及控制面（CP）协议处(chu)理(li)功(gong)能，并提供与核心网(wang)之间的回传(chuan)接(jie)口(kou)（NG接(jie)口(kou)）以及基站间互连接(jie)口(kou)（Xn接(jie)口(kou)）。

5G射(she)频(pin)(pin)单元(yuan)主要完(wan)成NR基带信(xin)号与射(she)频(pin)(pin)信(xin)号的转换及NR射(she)频(pin)(pin)信(xin)号的收发(fa)处理功能。在下行方向，接收从5G基带单元(yuan)传来的基带信(xin)号，经(jing)过上变频(pin)(pin)、数(shu)模转换以(yi)及射(she)频(pin)(pin)调(diao)制、滤波、信(xin)号放大等(deng)发(fa)射(she)链路（TX）处理后，经(jing)由开关(guan)、天线单元(yuan)发(fa)射(she)出去。在上行方向，

5G射(she)频(pin)单元通(tong)过天线(xian)单元接(jie)收(shou)上行射(she)频(pin)信号，经过低噪放、滤(lv)波、解调等接(jie)收(shou)链路（RX）处理后，再进行模数转(zhuan)换、下变(bian)频(pin)，转(zhuan)换为基带信号并发送给5G基带单元。

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V产品特征

专有新沟槽技术

RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V

低栅极电荷使(shi)开关损耗(hao)最(zui)小化

快(kuai)恢复体二极(ji)管

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V产品主要参数

型号(hao)：KNX2710A

工作(zuo)方(fang)式：160A/100V

漏源(yuan)电(dian)压：100V

栅极到源(yuan)极电压:±20V

连(lian)续漏电流:160A/80A/120A

脉冲漏电(dian)流(liu)在VGS=10V：640A

单脉冲雪(xue)崩能量:1200MJ

峰值(zhi)二极(ji)管(guan)恢复dv/dt:5.0V/ns

功耗:333W

漏源击穿电压:100V

输入(ru)电容:8000pF

反(fan)向转移(yi)电容:950pF

输出电(dian)容:760pF

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V封装图

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V规格书

查看(kan)及(ji)下载规格书，请(qing)点击下图。

5G通讯基站保护板专用MOS管原厂简介

深(shen)圳市利(li)盈娱乐半(ban)导体科技有限公(gong)司.是一家(jia)专业从事(shi)中(zhong)、大、功(gong)率场效应(ying)管(MOSFET)、快速恢复二极(ji)管、三端稳(wen)压管开发设计，集研发、生产和销售为(wei)一体的国家(jia)高新技术企业。

现(xian)已经(jing)拥有了独立(li)的研(yan)发中心(xin)，研(yan)发人员以来(lai)自韩(han)国(台湾)超一流(liu)团队，可(ke)以快(kuai)速根据客户(hu)应用领(ling)域(yu)的个性(xing)来(lai)设(she)计方案，同时引进多(duo)台国外先(xian)进设(she)备(bei)，业务含(han)括功率(lv)器件(jian)的直流(liu)参数检(jian)测、雪崩能量检(jian)测、可(ke)靠性(xing)实验、系统分析(xi)、失效分析(xi)等领(ling)域(yu)。

强大的(de)研发平台，使得(de)KIA在工(gong)艺制(zhi)造(zao)、产(chan)品(pin)设计方(fang)面拥有(you)知识产(chan)权35项(xiang)，并掌握多(duo)项(xiang)场效应(ying)管核心制(zhi)造(zao)技术。自主研发已经(jing)成为了企业(ye)的(de)核心竞争力。

KIA专注于产(chan)(chan)品(pin)的精(jing)细化与革新，力求为(wei)客户提供最具行(xing)业领先、品(pin)质上(shang)乘(cheng)的科(ke)技(ji)产(chan)(chan)品(pin)。

KIA半导体(ti)(ti)从设(she)计研发到制造再到仓(cang)储物流，KIA半导体(ti)(ti)真(zhen)(zhen)正实(shi)现了一体(ti)(ti)化的(de)服务链，真(zhen)(zhen)正做到了服务细节全到位的(de)品(pin)牌(pai)内(nei)涵(han)，我们致力(li)于成为(wei)场效应管(guan)（MOSFET）功率器(qi)件领域的(de)领跑者，为(wei)了这个(ge)目标，KIA半导体(ti)(ti)正在(zai)持续创新，永不止(zhi)步！

KIA半导体原厂的六大优势

1、经营思想理念

携手(shou)客户、创(chuang)新设计、共同提升、服务市场；

2、我(wo)们愿意为客户做产品调整

3、提高客户产(chan)品技(ji)术(shu)保密性(xing)与性(xing)价比

4、拥(yong)有(you)设计(ji)与制(zhi)造一体(ti)化服(fu)务(wu)

5、拥有高效(xiao)反应的设计团队

6、KIA引进(jin)(jin)多台国外(wai)先进(jin)(jin)设备(bei)（直(zhi)流参数检测(ce)、雪崩能量检测(ce)、可靠(kao)性实验、系统(tong)分析、失(shi)效分析等），为(wei)您的(de)产(chan)品质量做(zuo)好严(yan)格的(de)把关。

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