MOS场效应管判断好坏及判断注意事项-KIA MOS管

MOS场效应管如何判断好坏

（一）结型场效应晶体(ti)管的检测

1．判别(bie)电极与管(guan)型

用(yong)万(wan)用(yong)表R×100档或R×1k档，用(yong)黑表笔(bi)(bi)任接一个(ge)电极(ji)，用(yong)红表笔(bi)(bi)依次(ci)触碰(peng)另外两个(ge)电极(ji)。若测(ce)出某一电极(ji)与(yu)另外两个(ge)电极(ji)的阻值均很(hen)大（无穷大）或阻值均较小（几(ji)百(bai)欧(ou)姆至(zhi)一千欧(ou)姆），则可(ke)判断黑表笔(bi)(bi)接的是栅(zha)极(ji)G，另外两个(ge)电极(ji)分别是源S和(he)漏极(ji)D。

MOS场(chang)效应管判断好坏，在(zai)(zai)两(liang)(liang)个(ge)(ge)阻(zu)值(zhi)均为高阻(zu)值(zhi)的一次测(ce)量(liang)(liang)中，被测(ce)管为P沟(gou)道结(jie)型场效(xiao)应晶体管；在(zai)(zai)两(liang)(liang)个(ge)(ge)阻(zu)值(zhi)均为低(di)阻(zu)值(zhi)的一次测(ce)量(liang)(liang)中，被测(ce)管为N沟(gou)道结(jie)型场效(xiao)应晶体管。也(ye)可(ke)以(yi)任(ren)(ren)意(yi)测(ce)量(liang)(liang)结(jie)型场效(xiao)应晶体管任(ren)(ren)意(yi)两(liang)(liang)个(ge)(ge)电极(ji)(ji)之(zhi)(zhi)间(jian)的正(zheng)、反向电阻(zu)值(zhi)。若测(ce)出某两(liang)(liang)只(zhi)电极(ji)(ji)之(zhi)(zhi)间(jian)的正(zheng)、反向电阻(zu)均相等，且(qie)为几千欧(ou)姆(mu)，则这(zhei)两(liang)(liang)个(ge)(ge)电极(ji)(ji)分别为漏(lou)极(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)S，另一个(ge)(ge)电极(ji)(ji)为栅极(ji)(ji)G。结型(xing)场效(xiao)应晶(jing)体(ti)管(guan)的源(yuan)极(ji)和漏极(ji)在(zai)结构上具有对称性，可(ke)以互换(huan)使用。若测得场效(xiao)应晶(jing)体(ti)管(guan)某两极(ji)之间(jian)的正、反(fan)向电阻值为0或(huo)为无(wu)穷大，则说明该管(guan)已击穿或(huo)已开(kai)路损(sun)坏。

2．检(jian)测其放大能(neng)力

用(yong)万用(yong)表R×100档，红表笔接场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)源极(ji)S，黑表笔接其漏极(ji)D，测(ce)出(chu)漏、源极(ji)之间的(de)电阻值RSD后，再用(yong)手(shou)捏信栅极(ji)G，万用(yong)表指针会向左(zuo)或右摆(bai)动(dong)（多(duo)数场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)RSD会增大(da)，表针向左(zuo)摆(bai)动(dong)；少数场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)RSD会减小，表针向右摆(bai)动(dong)）。只要(yao)表针有较(jiao)大(da)幅(fu)度的(de)摆(bai)动(dong)，即说明被测(ce)管(guan)(guan)(guan)有较(jiao)大(da)的(de)放大(da)能力。

（二）双栅场效(xiao)应(ying)晶(jing)体管的检测

1．电极的判(pan)别

MOS场效(xiao)应管判(pan)断好(hao)坏，大多数(shu)双栅(zha)场(chang)效应晶体管(guan)(guan)的管(guan)(guan)脚位置排(pai)列顺序是相同的，即(ji)从场(chang)效应晶体管(guan)(guan)的底部（管(guan)(guan)体的背面）看，按(an)逆(ni)时(shi)针(zhen)方向依次为漏极(ji)D、源(yuan)极(ji)S、栅(zha)极(ji)G1和栅(zha)极(ji)G2。因此，只要用(yong)万用(yong)表测(ce)出(chu)漏极(ji)D和源(yuan)极(ji)S，即(ji)可找出(chu)两个栅(zha)极(ji)。

检测(ce)时(shi)，可将万(wan)用表(biao)置于R×100档，用两(liang)表(biao)笔分别测(ce)任意两(liang)引脚之(zhi)间(jian)(jian)的(de)正(zheng)、反向(xiang)电(dian)阻值(zhi)。当测(ce)出某(mou)两(liang)脚之(zhi)间(jian)(jian)的(de)正(zheng)、反向(xiang)电(dian)阻均(jun)为(wei)几十(shi)欧(ou)姆(mu)至几千欧(ou)姆(mu)（其(qi)余各引脚之(zhi)间(jian)(jian)的(de)电(dian)阻值(zhi)均(jun)为(wei)无穷大），这(zhei)两(liang)个电(dian)极便是漏极D和(he)源(yuan)极S，另两(liang)个电(dian)极为(wei)栅(zha)极G1和(he)栅(zha)极G2。

2．估测放(fang)大能力

用万用表(biao)R×100档(dang)，红表(biao)笔接源极(ji)S，黑表(biao)笔接漏(lou)极(ji)D，在测(ce)量漏(lou)极(ji)D与源极(ji)S之间的(de)电(dian)阻值(zhi)RSD的(de)同时，用手指捏住两个栅极(ji)，加(jia)入人(ren)(ren)体感应(ying)信号。若(ruo)加(jia)入人(ren)(ren)体感应(ying)信号后，RSD的(de)阻值(zhi)由大变(bian)小，则说明(ming)该管(guan)有一定有放大能(neng)(neng)力。万用表(biao)指针(zhen)向(xiang)右摆越(yue)大，说明(ming)其(qi)放大能(neng)(neng)力越(yue)强。

3．判断其好坏

MOS场效(xiao)应管判断好坏，用(yong)万用(yong)表R×10档或(huo)(huo)R×100档，测量场效应晶体管(guan)源极(ji)S和漏(lou)极(ji)D之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值。正(zheng)常时(shi)，正(zheng)、反向电阻(zu)(zu)(zu)均为(wei)(wei)几(ji)(ji)十欧姆(mu)至几(ji)(ji)千(qian)欧姆(mu)。且黑表笔(bi)(bi)接(jie)漏(lou)极(ji)D、红表笔(bi)(bi)接(jie)源极(ji)S时(shi)测得的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值较(jiao)黑表笔(bi)(bi)接(jie)源极(ji)S、红表笔(bi)(bi)接(jie)D时(shi)测得的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值要略大一些。若(ruo)测得D、S极(ji)之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值为(wei)(wei)0或(huo)(huo)为(wei)(wei)无(wu)穷(qiong)大，则(ze)说明该(gai)管(guan)已击穿损(sun)坏(huai)或(huo)(huo)已开路(lu)损(sun)坏(huai)。用(yong)万用(yong)表R×10k档，测量其余各引脚(jiao)（D、S之(zhi)(zhi)间(jian)除外）的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值。正(zheng)常时(shi)，栅极(ji)G1与(yu)G2、G1与(yu)D、G1与(yu)S、G2与(yu)D、G2与(yu)S之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)电阻(zu)(zu)(zu)值均应为(wei)(wei)无(wu)穷(qiong)大。若(ruo)测得阻(zu)(zu)(zu)值不正(zheng)常，则(ze)说明该(gai)管(guan)性能变差(cha)或(huo)(huo)已损(sun)坏(huai)。

如何快速判断其好坏及引脚功能

1.用10K档，内(nei)有(you)15伏电池。可提供导(dao)通电压。

2.因为栅极(ji)等效于电容，与任何(he)脚(jiao)不(bu)通(tong)，不(bu)论(lun)N管或P管都很容易找(zhao)出栅极(ji)来，否则是坏管。

3.利用表笔对栅源(yuan)(yuan)间正(zheng)向(xiang)或(huo)(huo)反向(xiang)充电，可使漏源(yuan)(yuan)通或(huo)(huo)断，且由(you)于栅极上电荷能保(bao)持，上述两步可分先后(hou)，不(bu)必同步，方便。但(dan)要放电时需短路(lu)管脚或(huo)(huo)反充。

4.大(da)都源(yuan)漏间有(you)反并二极管，应注意，及帮(bang)助判断。

5.大都(dou)封庄(zhuang)为字面(mian)对自(zi)已时，左栅中漏右源。

以(yi)上前(qian)三(san)点必需掌握，后两点灵活(huo)运用(yong)，很快(kuai)就能判管脚，分好坏(huai)。如果对新拿到(dao)的不明MOS管，可以通(tong)过测定来判(pan)断脚(jiao)(jiao)极，只有准确(que)判(pan)定脚(jiao)(jiao)的排列(lie)，才(cai)能正确(que)使用(yong)。

管脚测(ce)定方(fang)法(fa)：

①栅极G的测(ce)(ce)定：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表(biao)R&TImes;100档(dang)，测(ce)(ce)任意两(liang)(liang)脚之(zhi)间正反向电(dian)(dian)阻，若(ruo)其中某次测(ce)(ce)得电(dian)(dian)阻为数(shu)百Ω），该两(liang)(liang)脚是(shi)D、S，第三(san)脚为G。

②漏(lou)极(ji)D、源极(ji)S及类型判(pan)定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向(xiang)电阻(zu)，正向(xiang)电阻(zu)约为0.2&TImes;10kΩ，反向(xiang)电阻(zu)（5一∞）X100kΩ。在测反向(xiang)电阻(zu)时，红表笔不动(dong)，黑表笔脱离引(yin)脚后(hou)(hou)，与G碰一下(xia)，然后(hou)(hou)回去再接原引(yin)脚，出现两种情况(kuang)：

a．若读数由原来较大值变为0（0&TImes;10kΩ），则红表(biao)笔所接(jie)为S，黑表(biao)笔为D。用黑表(biao)笔接(jie)触G有效，使MOS管(guan)D、S间正(zheng)反向电阻值均为0Ω，还可证明该(gai)管(guan)为N沟(gou)道(dao)。

b．若(ruo)读(du)数(shu)(shu)仍为较大值，黑表(biao)笔不(bu)动(dong)，改用红表(biao)笔接触(chu)G，碰一下之后立即回到原脚，此时若(ruo)读(du)数(shu)(shu)为0Ω，则黑表(biao)笔接的(de)是S极、红表(biao)笔为D极，用红表(biao)笔接触(chu)G极有效，该(gai)MOS管为P沟道。

怎么判断场效应管好坏的注意事项

（1）VMOS管亦(yi)分N沟道(dao)管与(yu)P沟道(dao)管,但绝大多数产品(pin)属于N沟道(dao)管。对于P沟道(dao)管,测量(liang)时(shi)应交换(huan)表笔的(de)位置。

（2）目前市场(chang)上还有一种VMOS管(guan)功(gong)率模块(kuai),专(zhuan)供交流(liu)电机调速器(qi)、逆变器(qi)使用。例如美国(guo)IR公司生产的IRFT001型模块(kuai),内(nei)部有N沟道(dao)、P沟道(dao)管(guan)各三只,构成三相(xiang)桥式结构。

（3）现在市售(shou)VNF系列(N沟道)产品(pin),是(shi)美国Supertex公司(si)生产的超高(gao)(gao)频功率场效应管,其最高(gao)(gao)工(gong)作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共(gong)源小(xiao)信号低(di)频跨(kua)导gm=2000μS。适用于高(gao)(gao)速开关电路和(he)广播、通信设(she)备中。

（4）使用(yong)VMOS管时必(bi)须加(jia)(jia)合适的散(san)热(re)器(qi)后(hou)。以VNF306为例(li),该管子加(jia)(jia)装(zhuang)140×140×4(mm)的散(san)热(re)器(qi)后(hou),最大功率(lv)才(cai)能达到30W。

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