50n03参数中文 MOS管电路符号说明 30V50A内阻低 当天发货-KIA MOS管

MOS管,KIA50N03A 30V50A产品介绍

KIA50N03A是(shi)性能最高(gao)的(de)(de)沟道(dao)型N-ch MOSFETs，具有极(ji)高(gao)的(de)(de)性能单元(yuan)密(mi)度，为(wei)大部分同步降压转换器提(ti)供优(you)良的(de)(de)RDSON和栅极(ji)电荷(he)产品(pin)用途(tu)：满足罗氏和绿色产品(pin)的(de)(de)需求，100%艾氏保真全功能可靠性批(pi)准。

一、KIA50n03参数中文

产品特点(dian)：

先进的沟槽处理技术

超低导通电阻(zu)的高密度电池设(she)计

全(quan)特性雪崩电(dian)压(ya)和(he)电(dian)流

二、50n03参数中文

产品应用(yong)：

V DSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A

Vds=30V

R DS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

R DS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A

MOS管电路符号的说明-50n03参数中文

常用于场效应管的(de)(de)(de)电(dian)路(lu)符号有很多(duo)种变化，最(zui)常见的(de)(de)(de)设计是以一条直线(xian)(xian)代(dai)表通(tong)道(dao)，两条和通(tong)道(dao)垂直的(de)(de)(de)线(xian)(xian)代(dai)表源极与漏极，左方(fang)和通(tong)道(dao)平行而且较(jiao)短的(de)(de)(de)线(xian)(xian)代(dai)表栅(zha)极，如下图(tu)所示(shi)。有时也会将代(dai)表通(tong)道(dao)的(de)(de)(de)直线(xian)(xian)以破折线(xian)(xian)代(dai)替，以区(qu)分增(zeng)强型(xing)MOSFET或是耗尽型(xing)MOSFET。

由于集成电路芯(xin)片上的(de)(de)MOS管为(wei)四端(duan)元件，所以(yi)除(chu)了栅(zha)极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)、漏极(ji)(ji)外，尚有一基(ji)极(ji)(ji)。MOSFET电路符(fu)号中，从通(tong)道(dao)(dao)往右延伸的(de)(de)箭(jian)(jian)号方向则(ze)(ze)可表(biao)示此(ci)元件为(wei)N型(xing)或(huo)是P型(xing)的(de)(de)MOSFET。箭(jian)(jian)头方向永(yong)远从P端(duan)指(zhi)向N端(duan)，所以(yi)箭(jian)(jian)头从通(tong)道(dao)(dao)指(zhi)向基(ji)极(ji)(ji)端(duan)的(de)(de)为(wei)P型(xing)的(de)(de)MOSFET，或(huo)简(jian)称(cheng)PMOS（代表(biao)此(ci)元件的(de)(de)通(tong)道(dao)(dao)为(wei)P型(xing)）；反(fan)之若箭(jian)(jian)头从基(ji)极(ji)(ji)指(zhi)向通(tong)道(dao)(dao)，则(ze)(ze)代表(biao)基(ji)极(ji)(ji)为(wei)P型(xing)，而通(tong)道(dao)(dao)为(wei)N型(xing)，此(ci)元件为(wei)N型(xing)的(de)(de)MOSFET，简(jian)称(cheng)NMOS。

在一般分布式MOSFET元件中(zhong)，通常(chang)把基极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)(ji)(ji)接在一起，故分布式MOSFET通常(chang)为(wei)三端(duan)元件。而(er)在集成电路(lu)中(zhong)的(de)(de)MOSFET通常(chang)因为(wei)使用同一个(ge)基极(ji)(ji)(ji)(ji)，所以不标(biao)示出基极(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)极(ji)(ji)(ji)(ji)性(xing)，而(er)在PMOS的(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)端(duan)多加一个(ge)圆圈以示区别。

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